黄仁勋确认：三星HBM很快能供货英伟达

　　Nvidia 首席执行官黄仁勋确认，三星电子的高带宽内存 (HBM) 将集成到 Nvidia 产品中。他特别回应了最近有关三星因过热问题未通过质量测试的指控，他的反驳引起了极大关注。
　　6 月 4 日，在台北南港展览馆举行的新闻发布会上，黄仁勋回答了有关三星何时能成为 Nvidia 合作伙伴的问题。他表示：“我们需要的 HBM 数量非常大，因此供应速度至关重要。我们正在与三星、SK 海力士和美光合作，我们将收到这三家公司的产品。”
　　黄仁勋特别提到了最近有关三星 HBM 因过热问题而未能通过测试的报道。他澄清道：“它没有因为这些原因而失败，那些报道毫无意义。我们与三星的合作进展顺利。我希望它能在昨天之前完成，但事实并非如此。我们需要耐心等待。”
　　随着黄仁勋的表态，业界预计三星的 HBM 将很快供应给 Nvidia。早在今年 3 月，在美国的一场开发者大会上，黄仁勋就曾亲临三星展台，亲自评测 HBM3E 产品，并在展台的标牌上亲笔签名“Jensen Approved”，然后才离开。
　　HBM，为何爆火？
　　半导体领域的记忆体是不受宠制程，是最出名的景气循环股。但本季有个支线成为关注焦点，就是AI 时代新宠儿：HBM，高带宽记忆体。
　　AI人工智能一波波点醒科技业成长动能，一年半的吹拂下，从生产GPU图形芯片组的辉达（NVIDIA），到「AI五王」之称的伺服器组装厂，包括纬创、广达、英业达、光宝科、技嘉，再到高阶零组件的电源供应器台达、散热模组双鸿等。现在，这股春风终于吹上记忆体产业的脸。
　　2023下半年开始，半导体产业出现新话题名词：HBM（High Bandwidth Memory，高带宽记忆体），为DRAM（Dynamic Random-Access Memory，动态随机存取记忆体）的一种，采3D立体堆叠成高效能记忆体，储存执行中程式和数据，可说HBM就是叠在一起的DRAM。
　　HBM与传统DRAM相比，有高带宽、低功耗与体积小等优点，但因制程复杂，价格高贵，所以2013年技术突破后只有高阶产品采用，非市场主流。
　　但新世代高运算需求的AI芯片（GPU / CPU），目标是处理大量并行数据，所以需要高算力和大带宽，算力愈强、每秒处理数据速度愈快，带宽愈大、每秒可存取数据愈多。
　　2025年销售上看50亿美元
　　从产品布局观察，一颗GPU配备多颗HBM，如辉达一颗H100超级芯片组，搭配五颗HBM，容量可达80GB。3月辉达发表B100和B200芯片组，用到八个HBM，容量上修至192GB，可见愈来愈多HBM是将来趋势。
　　辉达主要竞争对手超微（AMD）MI300系列更试图以记忆体容量领先，超微2015年起就采HBM设计方案，几乎是HBM应用鼻祖，更热烈拥抱，技术选择从堆叠八层，往上进攻到堆叠12层；自制AI芯片的Google，TPU系列每代都用倍数HBM。
　　市场强烈需求拉抬HBM大爆发，市调机构Gartner预估，2023年全球HBM销售规模为20.05亿美元，2025年将翻倍到49.76亿美元。
　　但标准型记忆体的产品差异性不大，又广泛应用消费性电子产品，易受总体经济影响，市场需求强烈使产品价格敏感，每隔三五年就能见到「谷贱伤农」的破产整并惨况，几波循环后，全球标准型记忆体走向三雄盘踞局面。
　　以销售规模估算，2023年第四季市场占有率（表1），分别为韩国海力士（SK hynix）45.5%、韩国三星（Samsung）31.8%、美国美光（Micron）19.2%，彼此角力激烈，每季数据都略有消长。
　　DRAM为知名「景气循环股」，2020年受疫情与宅经济刺激，有一波意外荣景，但又过分吸纳「未来买市」，迫使2022下半年开始，进入漫长又难以消除的「库存期」 。当时下行周期预估可能更长，但2023年突起AI大浪潮，2024年拓展了HBM新需求，再度意外让HBM成为这波景气上行的转折点。
　　SemiAnalysis数据显示，HBM现况约为SK海力士73%、三星22%、美光5%，暂时领先的海力士也是三雄布局最快最积极。
　　「为了生产新世代HBM，我们决定投资38.7亿美元研发与生产，在美国印第安那州兴建先进封装厂。」SK海力士3月宣告，资本支出导向HBM产能。执行长郭鲁正（Kwak Noh-Jung）表示，该厂2028下半年开始量产新HBM，借此领航全球AI半导体供应链。
　　DRAM龙头三星也不甘示弱，随后调整产线，上修HBM产能，三星执行副总裁黄相中（Hwang Sang-Joong）指出，三星HBM产能有望年增2.9倍。
　　老三美光同样得到HBM春风照拂，执行长梅罗特拉（Sanjay Mehrotra）表示「美光今年HBM产能销售完毕，明年多数产能也都预定完毕」，HBM产品可望本会计年为美光创造数亿美元营业额。
　　记忆体产业一片荣光，台厂虽然吃不到最甜的部分，但景气同样转折上行。如台厂DRAM制造指标大厂华邦电子、南亚科技，近期就传来捷报。
　　华邦电2024年第一季营业收入为新台币201.2亿元，年增14.9%。总经理陈沛铭认为，今年三大厂的产能配置，往HBM调整，估计不会放在相对竞争的DDR3与DDR4，估计第二到第三季，DDR3市场呈现供应平衡，或略为供不应求，有助于攻价格走势，「对以DDR3为主力产品的华邦有利。」
　　此外，南亚科技也有不错斩获， 「第一季是我们DRAM复苏的起头，我们看到ASP（平均销售单价）的改善。另外，第一季闲置成本也降低，也就是说我们逐步恢复正常生产， 」南亚科技总经理李培瑛从自家财务层面，印证下行多时的记忆体产业春风吹起。
　　南亚科技2024年第一季营业收入为新台币95.03亿元，季增9.2%、年增48%，第一季DRAM平均售价提升个位数百分比，单季销售量也向上拉动。
　　「预期2024年DRAM市场维持稳健复苏。」李培瑛表示，从市场供需状态观察，在供给方面，DRAM三大厂陆续将现有产能转进HBM产品，而且在新的资本支出上，也往HBM靠拢。所以标准型DRAM减产之下，有助于消化上一个高原期的库存，也能让身陷泥沼的价格得以回升，舒缓困局。
　　此外，后段制程的力成科技，也得到日本客户的HBM封装订单。力成董事长蔡笃恭表示，力成深耕先进封装技术已十多年，现在可应用在HBM上，尤其现阶段晶圆愈来愈薄，也需要更精细的研磨，公司已购入与晶圆厂同款的研磨机台，第二季进驻之后，将于年底加入产线。
　　值得注意的是，专注于逻辑制程的台积电，在HBM蓬勃之下，也捡到一波周边商机，主要是硅穿孔TSV技术与CoWoS先进封装技术的相融。
　　目前在HBM领先的SK海力士，4月中旬宣布与台积电展开新的合作，加速HBM新产品推进，预计2026年投产的HBM4，即第六代HBM产品。
　　良率有待突破，市况还很难说
　　HBM前景明亮，但是否就无挑战？「HBM供不应求的最大原因，其实是良率，」TrendForce分析师王豫琪表示，普遍猜测良率约只50～60%，差不多是做两个坏一个的状态，因为它不只要堆叠起来，还需要加压，让整体高度能与其他芯片对接，「但加压需要上下同时，并且保持平衡，失衡就会坏片。」
　　「HBM对产业是新的刺激，也是好的刺激，」王豫琪分析，过去都是新产品、新技术打破循环框架，这次HBM也达到这个效果，只是这波因AI带动的浪潮，这么大的运算能量、成本投入，市场能不能及时给予回馈？「AI技术发展、市场变现速度，两者是不是在同一个节奏？攸关HBM后市发展。」