LG 电子借 AI 服务器热管理热潮进军 41 万亿美元散热市场

　　根据外媒报道，韩国半导体公司不仅在高带宽存储器（HBM）制造技术方面取得进展，而且在关键工艺材料的国内生产方面也取得进展。
　　据业内人士5月28日透露，国内半导体材料企业易恩孚科技利用自有技术开发出钛蚀刻液（Ti etchant），并开始向全球最大的HBM制造商供应该材料。
　　钛蚀刻剂用于生产硅通孔 (TSV)，这是 HBM 内信息传输的通道。它可以去除晶圆上不必要的钛。
　　到目前为止，钛蚀刻剂主要由一家日本领先材料公司和一家韩国公司的合资企业供应。然而，随着 ENF 成功开发这项技术，国内生产和材料多样化的道路已经打开。ENF 已开始向第五代 HBM（HBM3E）生产线供应其最新产品，并计划将其供应范围扩大到高堆叠芯片。
　　除了 ENF 以外，国内也在积极推进 HBM 关键材料的生产。Soulbrain 独家供应可在 HBM 工艺中去除多余铜层的特殊浆料。
　　Duksan Hi-Metal 为存储器公司供应凸块制造用的焊球，焊球在 HBM 内部数据传输中起着桥梁作用。据悉，存储器公司积极支持 Duksan Hi-Metal 的技术开发，以对抗全球头号焊球制造商 Senju Metal 的主导地位。
　　业内人士表示，“人工智能时代备受瞩目的HBM领域，韩国占据90%的市场份额，因此韩国国内生态系统扩大的可能性很大”，“预计未来不仅在材料方面，而且在设备和零部件方面也将开展各种合作”。