继 DRAM 之后，NAND 闪存竞争愈演愈烈

　　继以DRAM为代表的高带宽存储器（HBM）用于人工智能（AI）存储半导体之后，NAND闪存市场竞争日趋激烈。
　　据业内人士5月19日消息，三星电子和SK海力士正在加紧努力提升NAND技术和产品的性能和容量，以应对不断增长的AI需求。
　　三星电子于 4 月份开始批量生产业界首款 1 太比特 (Tb) 三级单元 (TLC) 第 9 代 V-NAND，强调其领先技术。
　　在激烈的分层竞争中，三星电子继目前的支柱产品236层第8代V-NAND之后，推出了290层第9代V-NAND，占据了市场主动权。
　　第九代V-NAND采用下一代NAND闪存接口Toggle 5.1，数据输入/输出速度高达3.2Gbps，比第八代V-NAND提升33%。
　　三星电子计划凭借第 9 代 V-NAND 引领 AI SSD 市场，目标是在第二季度开发并提供超高容量 64 TB SSD 样品。
　　在确保了 HBM 领域的领导地位后，SK 海力士还透露了其引领 NAND 人工智能内存市场的雄心。
　　SK海力士近期成功开发出用于设备内置AI移动NAND解决方案的“Zoned UFS 4.0”（ZUFS 4.0），将用于具备AI功能的智能手机。
　　ZUFS 4.0 针对移动设备内置 AI 进行了优化，据称可提供业界最高的性能。与传统 UFS 相比，它在长期使用环境下可将智能手机上的应用启动时间缩短约 45%，同时还将读写性能降低 4 倍，并将产品使用寿命延长约 40%。
　　此外，SK海力士计划积极增加高性能16通道企业级SSD（eSSD）及其子公司Solidigm基于QLC的大容量eSSD的销量。
　　此外，SK海力士还计划及时推出适用于AI PC的PCIe第五代消费类SSD（cSSD），并优化产品阵容以满足市场需求。
　　AI让原本举步维艰的NAND市场重新焕发活力，AI服务器采购量的爆发式增长也带动了AI服务器所需的高性能、大容量SSD需求的大幅上涨。
　　配备内置人工智能的个人电脑和智能手机的发布也推动了对 NAND 的需求。