SK海力士将“HBM第7代”开发推迟至2026年

　　SK 海力士计划最早于 2026 年完成第七代高带宽内存 (HBM) 的开发，名为“HBM4E”。高性能内存的代际转换步伐越来越快，在人工智能计算日益被视为至关重要的情况下，高性能内存的代际转换步伐越来越快。生成式人工智能的发展正在加速。
　　5月13日，SK海力士HBM先进技术团队负责人Kim Gwi-uk在参加在首尔广津区华克山庄酒店举办的国际内存研讨会（IMW 2024）期间宣布了这一计划。
　　HBM 由 SK 海力士于 2013 年首次开发。此后，该公司率先向美国 Nvidia 独家供应第四代产品 HBM3，从而引领市场，并开始交付业界首款第五代 HBM3E 8-三月份的堆栈产品。
　　然而，随着后来进入的三星电子率先公布了 12 堆栈 HBM3E 的计划，内存供应商之间争夺主要客户 Nvidia 的竞争正在加剧。
　　SK海力士本月还提供了HBM3E 12堆栈的样品，并准备在今年第三季度实现量产。该公司此前曾宣布计划明年开始量产第6代HBM4，比原定的2026年提前了一年。相应地，第7代HBM4E的开发完成时间似乎也提前了一年。
　　“自第一代 HBM 开发以来，每两年更新一次，但从 HBM3E 开始，每年都会发生更新换代，”团队负责人 Kim 解释道。如果明年推出HBM4（第6代），HBM4E（第7代）预计将在2026年完成技术开发并开始生产。
　　具体性能细节还有待确认。不过，Kim 表示，与前几代产品相比，HBM4 将提供 1.4 倍的带宽、1.3 倍的密度以及 30% 的功率效率提升。