郝跃院士谈碳化硅“上车”：800伏MOS将成车芯标配

　　2024北京国际汽车展览会正在北京如火如荼地进行，据《中国电子报》记者不完全统计，此次车展中展出的配备碳化硅的车型超70款，“含SiC量”成为新能源汽车比拼的一大指标。
　　同期在宁波举行的第十七届中国电子信息年会上，《中国电子报》记者独家专访了中国科学院院士郝跃。郝院士对碳化硅“上车”趋势进行了展望。他表示，未来车规级器件的标配是6英寸碳化硅衬底和800伏MOS器件。电子器件效率的提升可以帮助解决汽车续航问题。