SK海力士将在印第安纳州建设HBM工厂

　　SK海力士计划投资5.2万亿韩元，在美国印第安纳州建立用于人工智能（AI）的下一代高带宽存储器（HBM）半导体生产设施。该合资企业是该公司在海外的第一家HBM生产工厂，计划量产2028 年下半年开始。
　　4月4日，SK海力士宣布计划在印第安纳州西拉斐特建设先进的AI存储器封装生产设施。该公司还透露有意与普渡大学等当地研究机构进行半导体相关研发（R&D）合作。该计划计划投资38.7亿美元。
　　SK海力士目前在HBM全球市场份额中占据主导地位，稳居榜首。该公司实际上垄断了人工智能半导体领域知名企业英伟达的第四代 HBM HBM3 的供应。此外，SK海力士最近宣布从上月底开始向客户供应第五代HBM3E。
　　随着AI时代的到来，对HBM等超高性能存储器的需求急剧增加，先进封装的重要性也相应上升。为了加强技术领先地位，SK海力士决定在先进后处理技术研究活跃的美国进行投资，并一直在寻找合适的地点。
　　由于印第安纳州拥有半导体生产所需的丰富的制造基础设施，以及以其先进的半导体工程研究而闻名的普渡大学，最终投资印第安纳州的决定受到了高度评??价。
　　SK海力士预计，在印第安纳州建设的生产设施和研发设施将为当地创造超过1,000个就业岗位。该公司旨在为印第安纳州及其当地社区的发展建立合作伙伴关系，同时支持普渡大学研究基金会、当地非营利组织和慈善机构的活动。