SK海力士可能在美国印第安纳州建立封装厂

　　根据了解，SK 海力士总裁兼首席执行官 Kwak Noh-jeong 3 月 27 日宣布，高带宽内存 (HBM) 的订单量将在明年之前保持“紧张”状态，并补充说“今年 HBM 在 DRAM 总量中的比例销量将上升至两位数百分比，这将有助于盈利。”
　　在位于京畿道利川的SK海力??士总部举行的定期股东大会上，郭社长提出了为何SK海力士去年净亏损约9万亿韩元，而英伟达业绩遭受巨大打击的问题。他解释说，“去年HBM占DRAM总销量的比例仅为个位数。” 他进一步澄清说，“占销售额很大一部分的大多数 DRAM 产品都经历了价格大幅下跌和需求疲软。”
　　郭社长还提到，今年被指出是赤字原因的NAND闪存业务的方向将转向盈利。他表示：“尽管积极投资NAND业务以扩大市场份额，但由于市场增长迟缓，财务业绩仍不理想。因此，我们计划将业务方向从关注市场份额转向关注盈利能力。”
　　美国的一项重大投资计划预计很快就会公布。《华尔街日报》（WSJ）援引消息人士的话报道称，SK海力士正计划在印第安纳州西部的西拉斐特建设一家先进的半导体封装工厂。消息人士称，SK海力士计划投资40亿美元（约合5.3万亿韩元）建设这座工厂，目标是在2028年开始运营。预计SK海力士董事会将很快批准这一决定。
　　工厂将建在印第安纳州西拉斐特，是普渡大学的所在地，普渡大学是美国开设最大的半导体和微电子工程项目的大学之一。
　　SK海力士还考虑了亚利桑那州，那里的半导体行业正在快速发展，台湾半导体公司台积电和英特尔的工厂也在这里设立。然而，据消息人士透露，考虑到通过普渡大学获得工程人才库的优势，它最终选择了印第安纳州。对此，郭总统表示：“正在审查中，但尚未确认。”