MUF技术来制造最新的HBM，三星回应：不是真的

　　三星电子驳斥了有关其计划为 HBM（高带宽内存）引入 MUF（模制底部填充）工艺的报道，称这“不属实”。
　　13日，路透社援引多位消息人士的话称，“三星电子将使用MUF技术来制造最新的HBM”，并补充道，“这项技术最先被我们的竞争对手SK海力士使用，这对三星来说多少是一个打击”电子产品的骄傲。”报道称。
　　HBM 垂直堆叠多个 DRAM，并通过 TSV（通过硅电极）将它们连接起来。目前，三星电子一直在采用在DRAM之间插入NCF（非导电粘合膜）并进行热压缩的工艺。
　　另一方面，SK海力士正在采用MR-MUF（大规模回流成型底部填充）技术，该技术加热并焊接整个HBM，并通过在芯片之间插入液体保护材料来填充间隙。MR-MUF技术被评价为具有高可靠性和生产效率，因为与NCF工艺相比，热量施加均匀。
　　路透社报道称，为此，三星电子正准备引入MUF工艺。其依据是最近订购了MUF相关设备，并且也在与日本Nagase等材料公司进行洽谈。
　　路透社称，“根据几位分析师的说法，三星电子的 HBM3（第 4 代 HBM）芯片生产良率约为 10-20%，而 SK 海力士则确保了约 60-70% 的良率。”“我们计划同时使用 NCF以及芯片中的 MUF 技术。”
　　但三星电子对此予以反驳，称“这不是真的”。
　　业界也认为三星电子将MUF技术引入HBM的可能性较低。诚然，三星电子正在追求引入MUF技术，但据了解，其意图是将该技术用于服务器用大容量DRAM，例如256GB（千兆字节），而不是HBM。
　　此外，三星电子还投入了大量资金来推进 HBM 的 NCF 技术并扩大产能。在这种情况下，有人认为三星电子对于MUF工艺转换进行额外投资的成本负担太大。