SK海力士HBM已售罄，内存半导体呈上升趋势

　　作为英伟达高带宽存储器合作伙伴，SK海力士在HBM市场处于领导地位。日前，SK海力士副社长Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已经售罄，已开始为2025年做准备。虽然外部不稳定因素依然存在，但今年内存半导体行业已开始呈现上升趋势。
　　市场层内，全球大型科技客户对产品的需求正在复苏，并且随着人工智能使用领域的扩大，包括配备自己的人工智能的设备，如个人电脑和智能手机，对DDR5、LPDDR5T以及HBM3E等产品的需求预计会增加。
　　资料显示，SK海力士扩大其HBM的生产设施投资，以应对高性能AI产品需求的增加。公司计划，对通过硅通孔(TSV)相关的设施投资将比2023年增加一倍以上，力图将产能翻倍，并计划在2024年上半年开始生产其第五代高带宽内存产品HBM3E。
　　此外，SK海力士公司正在与台积电结成“AI联盟”。据业内人士透露，SK海力士与台积电形成了One Team战略，包括合作开发第六代HBM，即HBM4。
　　相较于前三代HBM，HBM4堆栈将改变自2015年以来1024位接口的设计，采用2048位接口，以解决此前1024位内存接口“宽但慢”的问题，而位宽翻倍也是是HBM内存技术推出后最大的变化。由于2048位接口需要在集成电路上进行非常复杂的布线，可能需要台积电更为先进的封装技术来验证HBM4芯片的布局和速度。
　　另有消息称，HBM4芯片将用于Blackwell架构GPU第二次迭代升级中。