SK海力士正在加速开发新工艺“混合键合”封装技术

　　根据外媒报道，SK海力士正在加速开发新工艺“混合键合”，以保持其在高带宽存储器（HBM）领域的全球领先地位。业界正在密切关注SK海力士能否率先应用这一梦想封装技术，从而继续引领特种内存领域。
　　据行业官员12月18日透露，SK海力士本月在美国举行的全球半导体会议IEDM 2023上宣布，其已确保HBM制造中使用的混合键合工艺的可靠性。SK海力士报告称，其第三代HBM（HBM2E）采用8层堆叠DRAM，在使用混合键合工艺制造后通过了所有可靠性测试。在此次测试中，SK海力士评估了HBM在高温下的使用寿命，并检查了产品发货后客户在芯片焊接过程中可能出现的潜在问题等，涵盖四个类别。
　　混合键合被认为是 HBM 行业的“梦想工艺技术”。到目前为止，HBM 在 DRAM 模块之间使用一种称为“微凸块”的材料进行连接。然而，通过混合键合，芯片可以在没有凸块的情况下连接，通过消除充当桥梁的凸块来显着减小芯片的厚度。
　　HBM 芯片的标准厚度为 720 μm。预计将于 2026 年左右量产的第 6 代 HBM（HBM4）需要垂直堆叠 16 个 DRAM，这对当前的封装技术满足客户满意度来说是一个挑战。因此，Hybrid Bonding工艺在下一代HBM中的应用被业界认为是必然的。
　　SK海力士今年已宣布计划将混合键合应用于其HBM4产品。虽然本次测试是在第三代产品上进行的，其要求远低于 HBM4 规格，而且 DRAM 层数仅为一半（8 层），但对于外部展示 Hybrid Bonding 的潜力具有重要意义。

　　SK海力士是今年半导体行业HBM热潮的关键参与者。该公司今年率先在第五代 HBM 的生产中引入了大规模回流成型底部填充 (MR-MUF) 工艺，从而保持了 HBM 行业领导者的地位。