芯元基Micro LED巨量转移工艺取得突破

　　芯元基宣布公司在其独有的化学剥离Micro LED的技术基础上，成功开发出了晶圆级印章巨量转移工艺，达到了转移芯片位置零偏差。
　　芯元基成立于2014年，是一家基于第三代半导体氮化镓（GaN）材料自主研发、设计、生产蓝宝石基GaN高端薄膜结构芯片、Mini/Micro LED芯片的公司。该公司于2021年10月正式进入Micro LED领域，发展至今取得不少突破。
　　2022年1月，芯元基全屏点亮5μm Micro LED芯片阵列；7月27日，点亮0.12英寸 、pitch 3.75μm Micro LED芯片阵列；8月29日，点亮InGaN基红光Micro LED芯片阵列；10月13日，实现0.41英寸单色Micro LED微显示屏视频显示。