三星电子不会削减尖端 DRAM、NAND 闪存的产量

　　三星电子在 10 月 31 日的第三季度在线财报电话会议上宣布，将扩大尖端内存的供应，包括 10 纳米第四代 (1a) 和第五代 (1b) DRAM 以及第七代和第八代一代V-NAND闪存，没有做任何向下的调整。
　　三星电子副总裁 Kim Jae-jun 表示：“对于生成式人工智能等高性能产品的运行至关重要的尖端内存的需求正在迅速增长。” “另一方面，由于去年以来内存行业的资本投资削减，我们先进节点工艺的扩展受到限制。”
　　Kim 补充道：“三星电子将通过维持资本投资来进一步巩固其在尖端存储器市场的地位，以确保其中长期竞争力。” 三星电子的DS部门计划每年投资47.5万亿韩元的资本支出。DS事业部负责半导体业务。
　　然而，金解释说，对于一些传统产品，该公司正在继续调整产量以使库存正常化。金说：“将有选择性的生产调整，以在短时间内使库存正常化。” “NAND 闪存的供应削减幅度将大于 DRAM。”
　　同日，三星电子公布第三季度最终业绩，合并销售额为674047亿韩元，营业利润为24336亿韩元。其销售额较去年第三季度下降12.21%，但较今年第二季度增长12.3%。其营业利润也较去年同期下降77.57%。不过，这一数字明显高于市场预测的18358亿韩元。
　　特别是DS部门的经营业绩有所改善，营业利润达到2万亿韩元以上。该公司公布的营业亏损为3.75万亿韩元，与第一季度的4.58万亿韩元和第二季度的4.36万亿韩元相比，赤字大幅缩小。
　　涵盖家电和移动业务的DX部门销售额达44.2万亿韩元，营业利润达3.73万亿韩元。以智能手机为主的移动体验和网络部门创造了3.3万亿韩元的营业利润，消费电子和视觉显示部门创造了3800亿韩元的营业利润。三星显示器实现营业利润1.94万亿韩元，汽车电子子公司哈曼实现营业利润4500亿韩元。