主导 HBM3E 市场的激烈竞争：SK、三星、美光

　　下一代 HBM3E 是高带宽内存 (HBM) 领域人工智能的高性能半导体，其市场正在升温。随着三星电子、SK海力士和美光都准备量产第五代HBM3E，预计竞争将会加剧。
　　10月29日，据业内人士透露，全球三大DRAM企业三星电子、SK海力士、美光已完成第五代HBM3E的开发，准备量产，已开始送样。HBM 垂直连接多个 DRAM 芯片，显着提高数据处理速度。
　　人工智能领域对HBM的需求正在急剧上升。HBM产品按照HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E、HBM4的顺序开发，其中第四代HBM3目前已量产。
　　引领HBM市场的SK海力??士已成功开发HBM3E，并已开始向客户Nvidia分发样品进行验证。开发的HBM3E每秒可处理超过1.15TB的数据，相当于处理超过230部全高清电影的数据。
　　SK海力士计划于明年上半年开始生产HBM3E，巩固其在AI内存市场的主导地位。SK海力士在季度财报电话会议上表示，“截至目前，不仅是HBM3，还包括HBM3E，我们明年的产能已经售罄。”
　　10 月 20 日，三星电子在硅谷举行的内存技术日活动上展示了其超高性能 HBM3E DRAM Shinebolt。Shinebolt 的容量较前代产品增加了 1.5 倍，每秒处理超过 1.2 TB 的数据，处理速度为 10 倍。能源效率提高%。三星目前正在向客户分发HBM3E样品，预计将于明年下半年开始量产。
　　美光也通过开发第五代 HBM3 Gen2 内存加入了竞争，并已开始客户样品验证。他们表示，“它拥有超过 1.2 TB 的带宽和超过 9.2 Gbps 的引脚速度，比目前发布的 HBM3 提高了 50%。”
　　每家公司都在投资和技术开发上投入了大量资金，以确保在 HBM3E 市场中站稳脚跟。SK 海力士计划增加对硅通孔 (TSV) 工艺的投资，这是一种用于 HBM 制造的尖端封装技术。与此同时，三星上个月宣布开发出业界首款 12 nm 级 32 Gb DDR5 DRAM，该 DRAM 无需 TSV 工艺即可制造，这表明 HBM 产能的潜在增长。他们还致力于加强为 HBM 客户提供定制交钥匙（批量生产）服务的能力。