东芯股份：DRAM 可实现 25nm 工艺节点的量产

　　近日，东芯股份在接受投资者调研时表示，受到存储周期的影响，公司目前的存货仍处在相对较高的水平。从存货结构上来看，公司大部分产品是通用型产品，存货中原材料占比更高，半成品和产成品占比相对较低。根据披露，截止到 6月30 日，该公司存货的账面价值为 8.08 亿元。
　　此前，东芯股份称，公司目前已经有产品通过 AEC-Q100 的认证工艺制程方面，公司的 NAND Flash 已具备2xnm 制程的量产能力，并向 1xnm 制程进一步迈进。NOR Flash 可实现 48nm 制程量产；DRAM 可实现 25nm 工艺节点的量产。
　　此前于10月12日，另一本土存储厂商江波龙表示，在原厂减产效应的影响下，晶圆价格上涨的趋势已经形成，产业链上下游对于本轮价格调整基本达成一 致。存储主要市场中， NAND Flash 的整体涨幅更为一 致，DRAM 不同产品的涨幅存在较大差异。尽管目前下游市场对存储器的采购需求有一定的恢复，但后续的涨价幅度与涨价频率，取决于下游终端需求能否形成持续支撑， 需要持续关注宏观经济复苏情况。
　　而对于接下来是否还会计提存货跌价减值的询问，江波度龙指出，公司一直本着谨慎的态，依据相关会计准则开展存货跌价计提工作。目前来看，公司的存货跌价减值计提较为充分。
　　另据披露，江波龙的 LS500、LS600 系列主控芯片已经在知名晶圆厂完成流片验证，预计将于今年年内或明年初投入量产，并逐步实现规模的提升。该公司称，其主控芯片业务主要围绕主营业务开展，将率先应用在 eMMC 和 SD 卡领域。