三星测试第五代原型机，传输速度比 HBM3 快 50%

　

 　三星电子已确认将其第五代 HBM3E 产品命名为“Shinebolt”。随着三星加快HBM3E的开发和营销，预计它将紧随该领域的领导者SK海力士。

　　据业内人士10月17日透露，三星电子正在向客户公司发送HBM3E产品Shinebolt原型机进行质量认可测试。该原型机将 24 GB 芯片堆叠为 8 层，据报道很快就会完成 12 层 36 GB 产品的开发。
　　的最大数据传输速度（带宽）比 HBM3 高出约 50%，达到 1.228 太字节 (TB)。HBM 被认为是人工智能时代来临之际的下一代 DRAM。三星电子的HBM开发和生产速度有些落后于SK海力士。然而，三星正不遗余力地制定战略，重新夺回先进内存生产的领先地位。
　　粘合工艺是 HBM 的关键制造步骤，预计将会出现激烈的竞争。三星从 HBM 生产的早期阶段就一直采用热压缩非导电薄膜 (TC-NCF) 方法。它们是否能够超越 SK 海力士从 HBM3 开始采用的先进大规模回流成型底部填充 (MR-MUF) 工艺的效率还有待观察。
　　三星还在考虑加速开发可能改变 HBM 游戏规则的“混合键合”工艺的策略。三星电子内存业务总裁Lee Jung-bae在公司新闻编辑室发表的题为“释放三星内存的无限可能性”的文章中表示，“我们目前正在生产HBM3，并正在顺利开发下一代产品HBM3E” 。我们将进一步扩大规模，为客户生产定制 HBM。”