华为使用三星、美光、铠侠芯片

    尽管自2020年以来面临美国政府的严厉制裁，但中国华为据称使用了三星电子、美国美光科技和日本铠侠生产的半导体芯片。人们对针对中国的制裁的有效性提出了质疑，特别是在华为的新智能手机型号包括 SK 海力士 NAND 闪存的消息曝光之后。
    9月25日，台湾DigiTimes报道称，除了SK海力士之外，华为近三年发布的主打智能手机和平板电脑也采用了三星电子、美光、铠侠等公司的存储半导体。这意味着，韩国、美国、日本等具有代表性的存储半导体公司的芯片均已应用于华为产品中。
    进一步强调，华为的新产品并未使用中国存储公司长江存储技术有限公司（YMTC）和长鑫存储技术有限公司（CXMT）的芯片。2020年8月美国实施出口管制后，全球主要内存企业已停止与华为的直接交易。
    然而，过去三年来，华为新推出的智能手机和平板电脑被发现与三星和美光的移动DRAM以及Kioxia的闪存混合在一起。此前，在剖析华为Mate 60 Pro时，检测到了来自SK海力士的DRAM和NAND闪存。SK海力士澄清称，“美国实施制裁后，我们不再与华为有业务往来。”
    随着华为被揭露不仅使用来自韩国的存储半导体产品，还使用来自美国和日本的存储半导体产品，人们对制裁有效性的怀疑越来越多。一位业内人士评论道：“控制整个存储半导体供应链具有挑战性，除非与制造技术相关，否则很难将其归类为安全威胁。” 这意味着，即使企业坚持对中国的制裁，产品仍然可以通过在其他国家转售或通过多个中间商进入中国。
    有猜测称，在2020年出口管制实施之前，华为已经囤积了三星电子、SK海力士等主要内存公司的产品。因此，这些库存产品可能被用于华为在 2021 年至 2022 年期间发货的智能手机和平板电脑。
    越来越多的证据表明，华为一直在通过库存和其他渠道规避对使用韩国、美国和日本半导体产品的制裁。由此得出的分析表明，中国的半导体制造能力可能仍然落后。例如，过去三年，华为的移动产品都采用了LPDDR5 DRAM，而长江存储和长鑫存储在技术上都还没有达到这一水平。
    虽然长鑫存储最近宣布开发用于人工智能服务器的尖端高带宽内存（HBM），但有报道称它们仍主要采用 20 纳米工艺运行。相比之下，三星电子早在 2021 年 11 月就已率先开发采用 EUV 工艺的 14 纳米移动 DRAM LPDDR5X。