联发科已成功开发首款采用台积电领先 3 纳米技术的芯片

    联发科已成功开发首款采用台积电领先 3 纳米技术的芯片，并流片联发科技旗舰级天玑系统芯片（SoC）预计明年量产。这标志着联发科与台积电长期战略合作的重要里程碑，双方充分发挥芯片设计和制造优势，共同打造高性能、低功耗的旗舰级SoC，赋能全球终端设备。
    联发科总裁陈乔恩表示：“我们致力于实现利用世界上最先进的技术来创造尖端产品，以有意义的方式改善我们的生活的愿景。” “台积电始终如一的高品质制造能力使联发科能够充分展示其在旗舰芯片组方面的卓越设计，为我们的全球客户提供最高性能和质量的解决方案，并增强旗舰市场的用户体验。”
    台积电欧洲和亚洲销售高级副总裁 Cliff Hou 博士表示：“联发科与台积电在联发科天玑 SoC 上的合作意味着业界最先进的半导体工艺技术的力量可以像口袋里的智能手机一样触手可及。” 。“多年来，我们与联发科密切合作，为市场带来了众多重大创新，并很荣幸能够在 3nm 代及以后继续我们的合作伙伴关系。”
    台积电的 3nm 工艺技术除了为高性能计算和移动应用提供完整的平台支持之外，还提供增强的性能、功耗和产量。与台积电的N5工艺相比，台积电的3nm技术目前在相同功率下速度提升高达18%，或者在相同速度下功耗降低32%，逻辑密度增加约60%。
    联发科技的天玑 SoC 采用业界领先的制程技术打造，旨在满足移动计算、高速连接、人工智能和多媒体方面不断增长的用户体验要求。联发科首款采用台积电 3nm 工艺的旗舰芯片组预计将于 2024 年下半年开始赋能智能手机、平板电脑、智能汽车和各种其他设备。