三星决定削减 NAND 产量

    三星电子今年第二季度半导体 (DS) 部门再次出现 4 万亿韩元（31.2 亿美元）的巨额赤字。因此，该公司决定在今年下半年进一步削减 DRAM 和 NAND 半导体产量。
    三星电子7月27日公布，按挂钩计算，第二季度合并销售额和营业利润分别为60.01万亿韩元和6700亿韩元。与去年同期相比，这些数字分别下降了 22% 和 95%。然而，与上一季度相比，营业利润略有增加，引发了对业绩可能稳定的猜测。
    业务部门方面，DS部门第二季度业绩略有改善，赤字从第一季度的4.58万亿韩元缩小至4.36万亿韩元。相比之下，移动和消费电子部门（DX）表现出积极的成果，创造了3.83万亿韩元的利润。同样，三星显示器（SDC）和哈曼也取得了相对较好的业绩，利润分别为8400亿韩元和2500亿韩元。
    针对半导体减产的紧迫担忧，三星在当天的电话会议上表示，“我们计划在下半年继续下调产量，以加快库存正常化。我们将对 DRAM 和 NAND 进行额外的生产调整，特别关注 NAND 的大幅削减。” 该公司表示有意在现有削减计划的基础上实施这一补充措施。据此，一些半导体市场研究人员表示，新的战略计划预计将导致三星的存储半导体产量比去年减少最多20%。SK海力士此前也在财报会议上宣布将NAND产品削减措施增加5%至10%。
    尽管前景充满挑战，三星仍对今年下半年后的存储半导体市场前景持乐观态度。三星电子内存业务部门副总裁 Kim Jae-joon 表示：“内存库存在 5 月份达到峰值，此后在各公司库存减少的推动下进入下降趋势。随着进一步的削减，半导体价格很有可能扭转趋势并出现上涨。”
    他还对高带宽内存 (HBM) 作为有前景的新增长动力的潜力充满信心。“由于预计明年对 HBM 的需求不断增长，该公司正准备确保产能至少是今年的两倍。此外，三星正在准备提高生产力，以满足今年下半年的额外订单。”
    与此同时，三星电子在第二季度显着分配了大量研发费用，总计7.2万亿韩元，创下新纪录并超过了上一季度。与此同时，设施投资达到14.5万亿韩元的历史最高水平，其中DS部门投资13.5万亿韩元，显示器部门投资6000亿韩元。