美光将通过 EUV 光刻技术在日本扩展 DRAM

    美光、SK 海力士和其他行业领跑者等制造商认识到极紫外 (EUV) 光刻技术在推动其 DRAM 产品组合方面的关键作用。美光在 EUV 光刻技术上进行了大量投资，因为它具有出色的分辨率，能够在 DRAM 单元内创建更小、更精确的特征。
    美光科技已宣布计划 首次在日本引入 EUV 光刻技术，以制造其下一代 DRAM，即 1-gamma (1γ) 节点。1-gamma 节点跟在1-beta 节点之后，这是当今最先进的 DRAM 节点之一，美光在其广岛工厂大量生产。该公司相信 EUV 技术将带来更快、更节能和更高性能的内存产品。它计划从 2025 年起在台湾和日本生产 1-gamma 节点。