美光EUV DRAM计划，推出延迟

　　美光本周 宣布 了大幅削减成本的措施，其中包括裁员 10% 以及进一步降低资本支出。因此，该公司将放慢新 DRAM 节点的生产速度，这将推迟其采用极紫外 (EUV) 光刻技术的 1γ (1-gamma) 生产节点的推出时间至 2025 年。同时，该公司已开始对 适用于企业应用程序的24Gb DDR5 内存设备进行送样。
　　EUV 推出延迟
　　美光是唯一一家不使用 EUV 光刻技术及其最新制造工艺的大型 DRAM 制造商。内存生产商计划在其 1γ 制造技术中使用 EUV 的多个层，该技术定于 2024 年的某个时候推出。因为美光必须在 2023 和 2024 财年减少新设备的支出，并减少 DRAM 比特出货量未来几个季度，它将不得不放慢 DRAM 在其 1β 和 1γ 制造技术上的增长速度。
　　该公司最新的 1β (1-beta) 制造节点 ——位密度提高了 35%，功率效率提高了 15%——完全依赖于深紫外线（DUV 光刻）。相比之下，三星和 SK 海力士已经在其第 4 代 10nm 级技术（1α、1-alpha）中的多个层使用 EUV 扫描仪，并计划增加其在第 5 代 10nm 级 DRAM 节点中的使用。但该公司正在推迟其 1β 以减少比特生产出货量并削减其资本支出，这也是它也将推迟其 1γ 推出的原因。
　　“鉴于我们决定放慢 1? DRAM 的生产速度，我们预计我们的 1γ（1-gamma）现在将在 2025 年推出，”美光的一份 声明 中写道。 “同样，我们将推迟 232 层 3D NAND 存储器以外的下一个 NAND 节点， 以适应新的需求前景和所需的供应增长。”
　　基于 EUV 的生产过程的延迟是一个大问题，因为一个 EUV 层取代了多个 DUV 掩模，从而减少了周期时间，提高了产量并降低了成本。请记住，三星和 SK 海力士都将在未来几年广泛使用 EUV，因此它们在成本方面可能比美光更具优势。
　　24Gb DDR5 IC 样品
　　先进的工艺技术对于复杂的大容量 DRAM 设备特别有用，例如 Micron 的 24Gb DDR5 IC。该芯片正在通过美光合作伙伴的认证，将使用美光经过验证的 1α 节点制造。
　　使用 24Gb 内存芯片而不是 16Gb 设备可以将内存模块容量增加 50%，而无需增加每个模块的 IC 数量。对于主流服务器和超密集服务器，这意味着 48GB、96GB、192GB 或 384GB 模块。此外，美光还可以为客户端应用程序生产 24GB 和 48GB DDR5 模块。
　　只有当 AMD 和英特尔开始推出支持 DDR5 的下一代 EPYC 和 Xeon 可扩展处理器时，DDR5 才会开始在服务器中使用。同时，美光预计服务器 DDR5 位出货量将在 2024 年中期与 DDR4 交叉。
　　资本支出减少
　　如前所述，1β 和 1γ 延迟背后的原因之一是 2023 财年（2023 年 9 月结束）和 2024 财年（2024 年 9 月结束）的资本支出削减。美光将其 2023 财年的资本支出削减至 75 亿美元，低于该公司几个月前设定的 80 亿美元目标和 2022 财年的 120 亿美元（即资本支出削减约 40%）。该公司打算将晶圆厂设备 (WFE) 的支出同比减少 50%，但随着该公司在爱达荷州建设新晶圆厂，建筑支出将增加。与美光最初计划的相比，WFE 支出在 2024 财年也将有所下降。
　　裁员来了
　　由于该公司预计其生产的两种内存的需求增长微弱——DRAM 增长 10%，NAND 增长约 20%——因此它也需要降低运营支出。因此，它计划通过自愿减员和裁员相结合的方式，在 2023 年全年裁员 10%。
　　“这两年，DRAM 和 NAND 的需求远低于历史趋势和未来增长预期，主要是由于大多数市场终端需求减少，客户库存高，宏观经济环境的影响，以及欧洲的区域因素和中国，”美光在声明中说。
　　平衡供需
　　虽然美光推出的产量和成本削减措施看起来很激烈，但该公司认为，它需要平衡供需，因为它的盈利能力和长期繁荣取决于此。
　　美光首席财务官 Mark Murphy（来自 SeekingAlpha）表示：“该行业仍处于供过于求的情况，但客户正在消耗库存，我们预计他们将在日历年第二季度之前处于更好的位置。” “但全年利润将受到挑战，这将挑战毛利率。”

　　美光首席执行官桑杰·梅赫罗特拉 (Sanjay Mehrotra) 告诉彭博社：“就盈利能力而言，复苏的速度和步伐取决于供应恢复的速度 。”

　　编译自tomshardware