Micron美光量产首款基于 LPDDR5 DRAM 的多芯片封装产品

　　内存和存储解决方案  供应商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布量产业界首款基于低功耗 DDR5（LPDDR5）DRAM 的通用闪存存储（UFS）多芯片封装产品 uMCP5。美光 uMCP5 将高性能、高密度及低功耗的内存和存储集成在一个紧凑的封装中，使智能手机能够应对数据密集型 5G 工作负载，显著提升速度和功效。该款多芯片封装产品搭载美光 LPDDR5 内存、高可靠性 NAND 以及  的 UFS3.1 控制器，实现了此前只在使用独立内存和存储芯片的昂贵旗舰手机上才有的  功能。uMCP5 的出现使诸如图像识别、  人工智能（AI）、多摄像头支持、增强现实（AR）和高分辨率显示等  技术能在中高端手机上予以普及，从而惠及更多的消费者。

　　美光  副总裁兼移动产品事业部总经理 Raj Talluri 表示：“要将 5G 的潜力从宣传层面变为现实，需要智能手机能够应对通过网络和下一代应用程序传输的海量数据。我们的 uMCP5 在单个封装中结合了  快的内存和存储，为颠覆性的 5G 技术带来了更多可能，帮助消费者从容应对数据挑战。”

　　美光 uMCP5 为 5G 生态系统带来出类拔萃的速度和效率

　　本次发布是美光于今年三月宣布 uMCP5 出样的延续，为移动市场设定了新标准，成为首款使用  一代 UFS NAND 存储和低功耗 DRAM 的多芯片封装产品。如今的智能手机需要存储和处理海量数据，这使基于 LPDDR4 的中端芯片组的内存带宽变得捉襟见肘，带来的后果是视频分辨率降低、出现影响体验的延迟，以及部分功能受限。

　　借助 LPDDR5，美光将内存带宽从 3,733 Mb/秒大幅提高至 6,400 Mb/秒，即使在处理大数据量时，也可为移动用户提供无缝、即时的体验。

　　高通公司（Qualcomm）产品管理副总裁 Ziad Asghar 表示：“5G 为智能手机提供了前所未有的速度与云连接。我们很高兴看到 uMCP5 面世，为新一代手机带来符合 5G 速度的内存，并保证了一流的游戏体验、差异化的摄像头、AI 功能，以及更快的文件传输。”

　　uMCP5 专为下一代 5G 设备而设计，能轻松快速地处理和存储大量数据，且无需在性能和功耗之间进行妥协。高性能的内存和存储使 uMCP5 能够充分支持 5G   速度，并同时运行更多应用程序。

　　美光 uMCP5 的主要特性包括：

　　·  续航时间大幅延长：在 uMCP4 的成功基础上，美光将 LPDDR5 内存用于 uMCP5，实现了 5G 网络的完全利用；与 LPDDR4 相比，功耗降低了近 20%。此外，美光的 UFS 3.1 功耗比其前代产品 UFS 2.1 减少 40％。对于智能手机用户而言，即使在使用耗电的多媒体应用程序或数据密集型功能（如 AI、AR、图像识别、游戏、沉浸式娱乐等）时，也能有更长的续航时间。

　　·    速度快：与美光此前基于 UFS 2.1 的解决方案相比，美光 uMCP5 释放了 5G 性能的全部潜力，持续  速度可以加快 20％。

　　·  耐用度提升：美光 uMCP5 NAND 的耐用度提升了约 66％，可以允许 5,000 次擦写，成倍增加了设备的可擦写次数和数据量，而不会降低设备性能。即使对于重度手机用户而言，也能有效延长智能手机的使用寿命。

　　·  业界  的带宽：采用 uMCP5 的设备  将支持 6,400 Mb/s 的 DRAM 带宽，与上一代 LPDDR4x 的 4,266 Mb/s 带宽相比，增加了 50％。这使移动用户可以同时运行多个应用程序而不会影响体验。增加的带宽也使智能手机中的 AI 计算摄影获得了更高质量的图像处理，为用户带来  的摄影能力。美光是业界  支持全速 LPDDR5 的供应商。

　　·    闪存性能：美光 uMCP5 还采用了  快的 UFS 3.1 存储接口，与其上一代 UFS 2.1 产品相比，顺序读取性能提高了一倍，写入速度加快了 20％。

　　·  节省空间的紧凑设计：美光利用其多芯片封装  知识以及所掌握的制造和封装技术，以  紧凑的尺寸设计 uMCP5，从而实现了更纤薄、更灵活的智能手机设计。与独立版本的 LPDDR5 和 UFS 解决方案相比，美光 uMCP5 多芯片封装可节约 55％ 的印刷电路板空间。节省的空间使手机制造商能够  限度地提升电池容量或增加其他功能，例如摄像头、手势元件或传感器。美光可提供高达 12 GB LPDDR5 和 512 GB NAND 的多个容量配置选择。

　　美光 uMCP5 的供应情况