据悉,Genusion一直开发其所谓的“B4-Flash”技术,该技术利用公司专有的B4-HE(back bias assisted band-to-band tunneling induced hot electron)注入技术来进行编程。
该技术解决了一个编程速度的问题。公司称,这项技术改进了编程速度,这是目前闪存中最重要的问题之一。
目前闪存编程速度在1-10兆比特/秒,相当于硬盘的十分之一。根据该公司的说法,B4-HE技术可以实现100兆比特/秒的编程速度。
该公司还称其已使用目前的闪存工艺技术试产了4兆测试芯片,预计2009年将正式投入生产。据悉,该公司将在IEEE非易失半导体存储研讨会上展示其的成果。
免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。