闪存峰会：英特尔开发相变内存芯片

　 8月10日国际报道 英特尔会宣布在今年开始生产相变内存(phase-change memory)吗？相变内存是一种正在开发中的技术，可能取代目前大行其道的闪存。 
　　这是“闪存峰会”上的猜想之一。观察人士表示，英特尔和意法半导体已经组建了一家合资企业，可能很快公布以商业化规模生产相变内存的计划。意法半导体非常急于在市场上推出相变内存产品。
　　英特尔还没有正式公布会在何时推出相变内存的计划。英特尔闪存集团战略规划经理格雷格说，英特尔已经开发了90纳米工艺的相变内存样片，并相信这种芯片将在未来取代闪存芯片。
　　Objective Analysis分析师吉姆表示，英特尔、意法半导体合资企业名为Numonyx。发明相变内存技术并将它许可给英特尔等大厂商的是一家名为Ovonyx的公司。Numonyx上个月表示，将为消费者市场生产内存，并将在今年晚些时候公布更详细的计划。
　　相变内存的材料与CD光盘相似。这项技术的开发已经有很长时间了，英特尔的合伙创始人摩尔在1970年的一篇文章中就阐述了相变内存技术。三星、飞利浦等厂商也在开发相变内存技术。