SAFC Hitech披露32纳米以下节点技术五年蓝图

      SAFC Sigma-Aldrich Group旗下SAFC的业务部门SAFC Hitech今天公布了其新的化学品5年发展新路线图的详细内容。这份蓝图对硅半导体基片上的有机金属化学气相沉积 (Metalorganic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)法和原子层沉积(Atomic Layer Deposition, ALD)制程工艺进行了勾画。 
       SAFC Hitech的这份新蓝图坚持了《国际半导体技术发展路线图》(International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS)的纲领，涉及众多半导体层的广泛的材料开发内容。开发的这些材料包括用于逻辑存储设备的高介电常数介电材料、更多功能的存储器架构、动态随机存储器 (DRAM) 或闸极堆叠、阻隔层、配线以及低介电常数材料。
SAFC Hitech总裁Barry Leese评论说：“随着硅半导体行业从65纳米节点发展到45纳米、32纳米甚至更小的节点，对硅设备的电物理学的需求要求进行新化学物质的开发。我们认为半导体市场即将进入‘化学时代’，在材料上的不断发展是支持未来技术节点的关键。正如我们的发展路线图所显示的那样，通过生产众多先进的产品，SAFC Hitech的技术实力正走在这种材料开发领域的前沿。”
       SAFC Hitech研发部门负责人Peter Heys博士补充说：“一直以来，金属沉积前的介电质层使用的都是氧化硅和其他‘传统’材料。我们正在对该行业进行的探索就是要尝试化学元素周期表中的更多元素，使用先前没有尝试过的元素来开发新材料。我们已经在生产过程中使用了氧化铝、氧化铪、硅酸铪、氧化锆和复合稀土氧化物等氧化物和二元氧化物。这些金属氧化物的介电常数很高，如果该行业仍以符合摩尔定律的速度发展，那么在接下来几年中，这些金属氧化物将继续得到广泛的开发使用。”
      Heys博士表示：“在该新发展路线图的实施过程中，SAFC Hitech将推出用于硅半导体制造的更复杂的高介电常数氧化物，如基于铪锆的材料层，这种材料层的灵活性更佳，能掺入其它如硅、氮、铝、镧和钇等材料来满足客户的个性化需求，创造出满足特殊装置设计功能要求的材料层。以外，对稀土和锶化学材料、二元金属和复合金属氧化物或氧化物的迭代等的研发将能帮助生产出未来技术节点所需的50以上介电常数的材料。”
       Barry Leese总结说：“展望未来，将成为高介电常数介质的关键材料是那些拥有合适的物理化学特性的材料，它们能满足或超过所有设备架构的沉积性能所需的要求。这些材料将具有适当的电学性质，而且对消费者来说的成本也应该在能接受的范围之内。我们的新发展路线图，加上我们经验丰富的研发团队、卓越的战略合作伙伴和化的业务规模使我们有能力来充分满足该市场的需求和预期。”