三星在美国德克萨斯州建设大型存储芯片厂

时间:2007-06-19
      6月15日消息,韩国三星电子公司周五表示他们将在德克萨斯州的奥斯丁开办大型工厂,以此为美国消费者提供最前沿的用于各种移动设备的存储芯片。 

      该工厂计划有9个足球场大,主要生产300毫米(12英寸)的晶片,其容量比现有的8英寸晶片高出2.4倍。 

      工厂设备共价值35亿美元,每月将生产60000个此类晶片。 

      公司副总裁Yun Jong-Yong在三星发布的一项声明中指出,“我们在奥斯丁组建的新的大型制造工厂,是对美国消费者兑现承诺的表示。该工厂生产的产品,将供应美国市场当下现有的最前沿技术的闪存。” 

      德克萨斯州州长Rick Perry认为该家制造厂是州历史上的单笔国外投资。 

      他说,“本次投资建厂无疑将极大地提升德克萨斯州的地方经济,就业市场和文化生活。” 

      厂选址毗邻奥斯丁现有的一家半导体厂,其建成于1997年,当时耗资14亿美元,是州内原有的的国外投资建设项目。 

      新工厂将制造NAND闪存芯片,其广泛用于多种设备如MP3播放器、蜂窝式移动电话、数码相机等。 

      NAND芯片在断电情况下不会造成数据丢失,同时可用于存储图片、文档、、音乐和其他多媒体数据的存储卡,以及用于个人电脑的新的电晶体硬盘。
上一篇:ANADIGICS功率放大器与高通3G设计接轨 耗电降低75%
下一篇:SIA调低2007年芯片收入预测 均价急剧下滑为元凶

免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。