台湾积体电路(TSMC)将从2007年第2季度(4~6月)开始扩展采用65nm工艺制造的DRAM混载LSI的产品群。这样除了06年第2季度开始生产的面向便携设备的低功率(LP)产品基础之外,面向PC和家电等的通用(GP)产品也将实现量产。
混载128Mbit芯片,45nm的产品将于08年量产
台积电表示自05年开始供应90nm产品以来,DRAM混载LSI的需求“迅速增长”(日本台积电技术顾问兼销售主管石原宏)。与90nm产品相比,65nm产品的芯片面积可减小一半,因此,可混载的DRAM的容量“将由90nm的64Mbit增至128Mbit,达到原来的2倍”(石原宏)。
另外,该公司将于08年开始量产45nm的DRAM混载LSI。并计划于08年第3季度(7~9月)开始生产通用产品。如果采用45nm工艺,“低功率产品也可实现400M~500MHz的高速工作”
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