华虹NEC获Cypress 0.13微米SONOS NVM工艺授权
时间:2007-04-23
上海华虹NEC电子有限公司与美国Cypress半导体公司已签订合作协议,华虹NEC将从Cypress获得0.13微米SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon)嵌入式非易失性存储(Embedded Non Volatile Memory)的工艺授权。
球嵌入式非易失性存储器工艺平台是华虹NEC战略性的细分工艺平台之一。0.35微米嵌入式EEPROM、0.35微米嵌入式OTP以及 0.25微米嵌入式Flash工艺已经量产多年,都受到市场与客户广泛青睐,使华虹NEC在嵌入式NVM技术领域表现出众。与Cypress 的0.13微米SONOS技术项目的合作将扩展华虹NEC的代工工艺技术体系,并加强华虹NEC在嵌入式NVM领域的领导地位,同时也使Cypress能够加速此技术的使用推广。
SONOS闪存存储工艺具备许多优点,诸如稳定性好、高可靠性、低功耗、抗辐照能力强以及易与标准CMOS工艺兼容。另外,与其他嵌入式NVM技术相比,由于SONOS工艺所需的掩膜较少,可以提供更高性价比的解决方案。
华虹NEC总裁刘文韬表示,“很高兴能与Cypress合作0.13微米制程的嵌入式闪存/EEPROM工艺项目。借助Cypress在SONOS技术上的经验,客户在华虹NEC可得到更加全面的优质晶圆代工服务。同时,0.13微米SONOS NVM工艺的导入将再次大大提升华虹NEC在嵌入式闪存/ EEPROM领域的竞争力,使得包括智能卡、MCU在内的各类客户产品的性价比得到质的飞跃。”
Cypress晶圆厂及技术执行副总裁Shahin Sharifzadeh表示,“此次合作将促使Cypress的SONOS技术成为广泛的嵌入式NVM应用领域的主流解决方案。”
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