飞兆功率器件解决方案可改善EMI和MOSFET开关损耗

     飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出全新Stealth II和Hyperfast II二极管技术，作为其专为LCD TV开关电源(SMPS)应用而优化的功率器件解决方案的一部分。新推出的FFP08S60S和FFPF08S60S Stealth II二极管具有出色的软恢复能力(tb/ta>1.3)和极短的反向恢复时间(trr<25nS @ 600V击穿电压)。这些特性非常适合于在CCM(连续电流模式)功率因数校正(PFC)设计中改善EMI和MOSFET开关损耗。同时推出的还有FFPF08H60S Hyperfast II二极管，具有很快的反向恢复时间(trr<35nS @ 600V击穿电压)和很低的前向电压降(Vf<2.1V)，有助于在DCM(不连续电流模式)PFC设计中减小传导损耗及提高能效。新Stealth II和Hyperfast II技术的开发是要与飞兆半导体现有的UniFET及SuperFET MOSFET技术系列相结合，并且相辅相成。这一产品组合提供了完整的解决方案，可以提高LCD TV电源设计的系统效率和可靠性，并同时降低EMI。

   Stealth II/Hyperfast II+UniFET的组合优化PFC设计

     LCD TV的SMPS一般工作在两类PFC电流模式下：CCM和DCM。为了优化CCM设计，飞兆半导体的新型FFP/PF08S60S Stealth II快速恢复二极管可与飞兆半导体先前推出的UniFET MOSFET同用。例如，19A 500V FDA18N50 UniFET采用专有的平面条形DMOS技术获得很低的导通阻抗RDS(on)(0.265Ohm @ VGS=10V)和很高的承受UIS(非钳位感应开关)的能力。UniFET器件与新型的Stealth II二极管相结合，其开关损耗比较前一代产品可降低10%，从而实现出色的系统效率。同样地，飞兆半导体新推出的FFPF08H60S Hyperfast II二极管也可与相同的UniFET器件共同使用，在DCM PFC工作模式下提高效率和雪崩保护能力。

    SuperFET FRFET用于高效、可靠的主开关设计

     现在的LCD TV SMPS必须在开关模式工作中降低功耗，并同时保持系统性能和可靠性。飞兆半导体现有的SuperFET快速恢复MOSFET(FRFET)产品便经过优化以满足这种设计要求。结合SuperFET技术和控制少子寿命的工艺，SuperFET FRFET能够提高体二极管的性能、对关断电压变化dv/dt的抗扰性，以及降低其EMI，一代FCPF11N60F器件具有trr=120ns & Qrr=0.8μC以及高达50V/ns dv/dt的能力。

     全新Stealth II和Hyperfast II产品采用采用无铅封装，能达到或甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。目前有现货供应，交货期为收到订单后12周内。