德州仪器和Ramtron合作将FRAM技术提升至130nm工艺

      德州仪器公司(TI)和的非易失性铁电存储器(FRAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布：在FRAM技术发展中的创新里程碑，针对FRAM存储器达成了商用制造协议。该协议许可Ramtron的FRAM存储器产品在TI先进的130纳米(nm)FRAM制造工艺中生产包括Ramtron的4Mb FRAM存储器。Ramtron和德州仪器自2001年8月开始合作，当时双方签订定了FRAM的许可授权和开发协议。

      Ramtron首席执行长 Bill Staunton称：“这项制造协议标志着高密度 FRAM产品的商业化发展向前迈进了一大步。Ramtron将从德州仪器公认及先进的130nm工艺技术和先进的制造能力，和高密度的独立FRAM存储器中获益。除了4Mb器件外，在2007年内，我们还计划使用德州仪器的产品线中提供至少一种以上的产品样品。”
       德州仪器FRAM开发总监Ted Moise博士说：“与Ramtron的协作及在德州仪器130nm工艺上FRAM技术的商业化发展，为高密度FRAM器件的生产奠下了新的标准。通过在标准的130nm制造工艺中直接增加制造项目，我们可以达到成本、功耗及性能方面的特性，而这些特性对于其它嵌入式非易失性存储器技术来说却很难实现。”