中科院研发出新型磁阻内存，取代所有内存和闪存不是梦

      国外媒体报道，中国科学院物理所最近宣布，已经研发出了一种新型的磁阻内存（MRAM），比其他产品具有能耗更低、面积更小的特点。
      据报道，物理所研究员韩秀芬领导的一个小组研发出了这种新型磁阻内存。 
      研究人员抛弃了传统的MRAM设计思路，采用了一种所谓“纳米级环状磁隧道注入”（NR-MJT）的技术。
      研究人员说，这种设计能够降低磁阻内存的功耗，并减小内存单元面积。中科院物理所表示，目前写数据需要500到500微安的电流，读取数据需要10到20微安的电流，经过改进之后，写入电流可以下降到100到200微安。
      中科院的声明没有披露这种磁阻内存的生产工艺信息，是否采用单一MRAM单元还是内存阵列，以及内存阵列的大小等。
      据报道，这项研究从2002年4月到2006年9月期间进行，获得了中国国家重点基础研究发展计划（973计划）、国家自然科学基金会和中科院知识创新计划的支持。
      磁阻内存利用半导体的电磁性能保存数据，和DRAM一样具有非易失性，读写数据远远高于闪存，不存在闪存的老化问题。业界预计，磁阻内存将取代今天所有的内存和闪存，依靠它，几秒钟之内启动视窗系统将不是梦想。