“电阻率降低了1位数”爱发科可涂ITO状况

      爱发科材料公司（ULVAC Materials）在“第28届真空展”（2006年9月13～15日在东京有明国际会展中心举办）上展出了使ITO（铟锡氧化物）、铜（Cu）、银（Ag）、金（Au）之类金属微粒散布于溶媒中的“纳米金属墨料（Nano Metal Ink）”，并公布了最近的开发状况等。 

　　在用于以印刷技术形成透明电极用途的ITO墨料方面，爱发科成功地将230℃下烧成后的电阻率比以前降低了1位数。如果使用以前的ITO墨料形成ITO膜，其电阻率要比在喷镀装置中形成的普通ITO膜大2位数。尽管使用现在的ITO墨料时电阻率仍比喷镀装置制造的ITO膜高，但“我们能将其控制在更高层次的水平上”（Ulvac Corporate Center负责开发的讲解员）。据ITO墨料样品的进货方透露，“（爱发科）正在采取对使用ITO墨料的ITO膜进行加厚等措施，使电阻率达到与普通ITO膜同等水平，以此推进ITO墨料的应用开发”。 


　　进一步降低ITO墨料的烧成温度也是有可能的。不过，目前情况下尚存在“ITO墨料的材质会变得不稳定”（上述讲解员）的问题。其结果导致在烧成之前ITO微粒凝结，出现在溶媒中沉淀的现象。目前，爱发科正在避开这一难题而进行降低电阻率以及烧成温度方面的开发。 

　　在因可以印刷技术形成印刷电路底板上的布线而倍受关注的铜墨料方面，已能做到将350～400℃下烧成后的电阻率降低到比块状铜稍高的水平。由于铜墨料容易氧化，因此烧成需要2个步骤，即以3Pa的氧气分压力进行热处理之后，还必需在10-4Pa左右的真空条件下继续进行热处理。 

　　在银墨料方面，爱发科展出了可在150℃下烧成的产品。烧成后的银膜在膜厚为0.25～0.3μm时电阻率为3～4μΩ·cm左右。而以前的银墨料在220℃下烧成后的电阻率为1.9μΩ·cm。另外，块状银的电阻率为1.6μΩ·cm左右。