美Spansion制造片每单元4位闪存芯片

       据国外媒体报道，美国加州的闪存制造商Spansion公司9月25日宣布，已经生产出了全片每单元存储四位的闪存芯片。 
       Spansion公司表示，他们将采用这个技术在年底之前用90纳米工艺制造512M、1G、2G的闪存芯片，明年将采用65纳米的工艺生产1G、2G、4G、8G和16G芯片。 
       事实上，Spansion公司的这一制造技术来自以色列的Saifun公司。去年年底，Saifun公司正式向外界宣布已经成功研发出了每单位存储四位的闪存芯片，并将这一技术授权给了美国的Spansion公司和德国的英飞凌公司。 
       据Spansion公司和Saifun公司表示，通过每单位存储四位的技术，闪存的容量可以在同一尺寸的芯片上提高一倍，而且架构也比较简单，可以减少制造环节，从而降低成本。另外，通过软件纠错技术，可以限度地避免存储过程中的位错现象。