意法半导体和韩国现代半导体为中国的合资内存工厂举行落成典礼

时间:2006-10-18
意法半导体和韩国现代半导体,这两家的半导体制造商今天正式宣布,二者合建的位于中国江苏省无锡市的前端内存工厂开始投入运营。江苏省和无锡市政府的高层官员出席了这个工厂的落成典礼。
    这个的新工厂将生产 NAND 闪存和 DRAM(动态随机存取存储器)内存,是韩国现代半导体和意法半导体之间现有的成功合作的结果。这两家公司将从巨大的规模经济、进入迅速发展的中国市场的优先机遇以及双方公司在工艺和产品开发方面的互补优势中受益。这个位于无锡的工厂不仅将加快意法半导体在 NAND 闪存市场上的进步,还将为拥有内置解决方案和闪存堆栈的系统提供高性能、具有成本竞争力的 DRAM 芯片。这个新工厂将扩大韩国现代半导体的300毫米产品的产能,并将巩固其在发展最快的中国半导体市场上的地位。iSuppli 的数据表明,在中国半导体市场上,韩国现代半导体 DRAM 的销量居于首位,约占中国市场份额的47%。随着无锡的这个工厂的落成,韩国现代半导体拥有了除俄勒冈州尤金的美国工厂之外的又一个性工厂。
    2005年4月份,这两家公司在无锡的这个场地上破土动工。在拥有20,000平米清洁室空间的550,000平方米的厂区,2006年的7月份和10月份分别开始了在200毫米和300毫米生产线上的批量生产。目前,DRAM 的生产在200毫米产品的生产线上采用的是 90nm 技术和 110nm 加工技术,而在300毫米产品的生产线上采用的则是 80nm 加工技术。到明年年中,这些生产线除了目前生产的 DRAM 之外,还将以的技术开始生产 NAND 闪存。这个200毫米产品生产线目前正在以每月50,000个晶圆的速度进行生产,而300毫米产品的生产线预计产能将达到每月生产18,000个晶圆。产品和内存密度的划分将取决于市场状况。
    投资20亿美元的这个合资工厂的资金一部分来自于这两家公司,其中意法半导体和韩国现代半导体出资之比为1比2。此外该工厂还吸纳了来自中国当地机构和意法半导体的融资包。
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