功率MOS管损坏的典型
第一种:雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿...
日期:2023-05-17
功率MOS管损坏的典型案例
第一种:雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿...
日期:2023-05-10
图解功率MOS管的损坏
DY种:雪崩破坏 如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击...
日期:2021-11-09
开关电源的基本原理是利用PWM方波来驱动功率MOS管
作为一名电源研发工程师,自然经常与各种芯片打交道,可能有的工程师对芯片的内部并不...
日期:2020-07-08
大小功率MOS管的经验总结
MOS管相比于三极管,开关速度快,导通电压低,电压驱动简单,所以越来越受工程师的喜欢,然而,若不当设计...
日期:2020-06-04
功率MOS管的五种损坏模式详解
种:雪崩破坏 如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电...
日期:2016-10-12
分析功率MOS管RDS负温度系数对负载开关设计的影响
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者...
日期:2011-08-27