什么是MOS管？NMOS、PMOS和三极管的区别
MOS管是一种场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET），其名称源自金属氧化物半导体（Metal-Oxide-Sem...
日期：2024-04-30
MOSFET 开关损耗简介
MOSFET 的工作方式可分为两种基本模式：线性模式和开关模式。在线性模式下，晶体管的栅源电压足以使电流流...
日期：2024-04-29
xEV 主逆变器电源模块中第四代 SiC MOSFET 的短路测试
xEV 应用的应用示例。由于 SiC 功率半导体在电动动力系统中的优势已得到证实，SiC 功...
日期：2024-04-26
采用沟槽MOS结构，使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善 ROHM推出实现业界超快trr的100V耐压SBD“YQ系列”
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护...
日期：2024-04-26
BiCMOS 运算放大器的知识
BiCMOS 逻辑系列 BiCMOS 逻辑系列将双极器件和 CMOS 器件集成在单个芯片上，结合了...
日期：2024-04-16
使用逻辑信号、交流耦合和接地栅极驱动 CMOS 图腾柱
尽管大规模集成在当代电子设计中无处不在，但经典 CMOS 图腾柱拓扑中的分立 MOSFET 有...
日期：2024-04-10
功率 MOSFET 特性双脉冲测试
IEC 60747-9 标准以 IGBT 为例解释了相应的测试设置和测量结果。正如预期的那样，没有...
日期：2024-03-07
MOSFET工作原理和特点
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用...
日期：2024-03-04
MOSFET 共源放大器的频率响应
之前，我们了解了MOSFET 共源放大器的大信号和小信号行为。这些分析虽然有用，但仅适...
日期：2024-02-29
MOSFET共源放大器简介
放大器基本上是每个模拟电路的一部分。MOSFET 是出色的放大器件，这就是为什么有多种...
日期：2024-02-22
MOS管的四种类型
1. N沟道增强型前面已经提及，图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底，导电沟...
日期：2024-02-20
MOS开关设计
开关在集成电路设计中有很多作用。在模拟电路中，开关被用来实现诸如电阻的开关仿真[1...
日期：2024-01-23
什么是耗尽型 MOSFET？
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）比结型 FET 具有更大的商业重要性。MOSFET 是具有多种功能的三端器...
日期：2024-01-18
续流二极管的存储电荷对功率 MOSFET 导通损耗的影响
两种损失 原则上，功率半导体有两种损耗：通态损耗和开关损耗。后者包括开通和关断...
日期：2024-01-17
MOSFET 的小信号特性在模拟 IC 设计的作用
什么是小信号分析？ 当我们说“小信号”时，我们到底是什么意思？为了定义这一点，...
日期：2024-01-15
MOS 管的四种类型
图3.3.1 中的 MOS 管属于 N 沟道增强型。这种类型的MOS管采用P型衬底，导电沟道是 N 型。在vC5=0时没有导电...
日期：2024-01-15
SiC MOSFET 满足高效、高频应用的要求
SiC MOSFET 的优点 SiC MOSFET 的根本优势源自碳化硅材料本身。与传统的硅基半导体...
日期：2024-01-08
CMOS 触发器：JK、D 和 T 型触发器
JK 触发器 以下讨论假设正逻辑 - 具有高电平有效输入的逻辑 1。 字母 J 和 K 来...
日期：2024-01-04
适用于最高电压?Class Si IGBT 和 SiC MOSFET 的封装
电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了最大限度地减少电力电子设备中的能量损失，...
日期：2023-12-25
车级 MOSFET 采用新型 TO 无引线封装
车级 MOSFET 采用新型 TO 无引线封装，旨在优化两轮和三轮车辆以及其他轻型车辆、汽车 BLDC 电机和电动汽车...
日期：2023-12-15
MOS非理想性对VLSI电路可靠性的影响
在非常小的晶体管中，栅极氧化物可能只有几个原子厚。虽然这使得器件小型化，但也会由...
日期：2023-11-30
基本 MOSFET 恒流源
恒流源在电路分析练习和网络定理中占有重要地位，然后它们似乎或多或少消失了。。。除...
日期：2023-11-22
冷却 MOSFET 以实现动态系统的最佳性能
MOSFET 在静态状态下提供最大性能，并且在此配置中其功率效率相当高。然而，如果以动...
日期：2023-11-10
具有单片 CMOS 读出功能的晶圆级 GFET 生物传感器阵列
为了消除多分析物诊断 ELISA 方法的缺点，通过使用具有集成互补金属氧化物半导体 ( CM...
日期：2023-11-10
了解短沟道 MOS 晶体管中的漏电流分量
日期：2023-11-08
了解 MOSFET 通态漏源电阻
分立 MOSFET 数据表中最重要的规格之一是漏源通态电阻，缩写为 R DS (on)。这个 R DS ...
日期：2023-11-02
模拟 IC 设计的 MOSFET 结构和操作
MOSFET结构 MOS 晶体管是一种四端器件，由栅极 (G)、漏极 (D)、源极 (S) 和体 (B) ...
日期：2023-11-02
IGBT / MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动...
日期：2023-10-10
功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFET的破坏机...
日期：2023-10-10
MOSFET/IGBT 驱动器理论与应用
MOSFET 和 IGBT 技术 由于不存在少数载流子传输，MOSFET 可以以更高的频率进行开关...
日期：2023-10-08
