MOSFET在高频开关中的EMI问题
随着电力电子技术向高频化、小型化演进，MOSFET凭借高频开关特性、低导通损耗的优势，已成为高频开关电源、...
日期：2026-04-09
过压、过流对MOSFET的影响
MOSFET作为功率电子系统的核心开关器件，广泛应用于电源、电机驱动、新能源、工业控制等领域，其工作可靠性...
日期：2026-04-07
MOSFET并联应用的设计注意事项
在大功率功率电子系统（如新能源汽车驱动、工业电源、储能设备）中，单一MOSFET往往难以满足大电流传输需求...
日期：2026-04-03
MOSFET寄生参数对电路性能的影响
MOSFET作为功率电子电路的核心开关器件，其理想模型仅包含导通沟道与栅源控制结构，但实际制造过程中，受芯...
日期：2026-04-02
如何提高MOSFET在恶劣环境下的可靠性？
MOSFET作为功率电子系统的核心开关器件，广泛应用于工业控制、车载电子、新能源、矿山储能、户外通信等领域...
日期：2026-04-01
MOSFET体二极管特性分析
在电力电子拓扑中，MOSFET作为核心开关器件，其内部固有的体二极管（BodyDiode）往往是决定电路可靠性、效...
日期：2026-03-31
MOSFET栅极驱动电路设计技巧
MOSFET作为电力电子系统的核心功率器件，其开关性能与可靠性直接取决于栅极驱动电路的设计水平。栅极驱动电...
日期：2026-03-30
MOSFET短路失效案例分析
MOSFET作为电力电子系统的核心功率器件，在新能源汽车、储能系统、开关电源等中大功率场景中应用广泛，其短...
日期：2026-03-25
MOSFET寿命评估与可靠性设计
MOSFET作为电力电子系统的核心功率器件，广泛应用于新能源汽车、储能系统、开关电源、工业控制等中大功率场...
日期：2026-03-24
MOSFET批次差异对性能的影响
MOSFET作为电力电子系统的核心功率器件，广泛应用于新能源汽车、储能系统、开关电源、工业控制等场景，其性...
日期：2026-03-23
多颗MOSFET并联的散热设计要点
在新能源汽车、储能系统、大功率电源模块等大电流场景中，单颗MOSFET的电流承载能力往往无法满足需求，多颗...
日期：2026-03-20
MOSFET在新能源设备中的应用趋势
随着全球“双碳”目标推进，新能源产业进入高速发展期，光伏、新能源汽车、储能、充电桩等设备向高效化、高...
日期：2026-03-18
MOSFET在逆变器中的应用分析
逆变器作为电能转换的核心设备，主要实现直流电能（DC）向交流电能（AC）的转换，广泛应用于光伏并网、车载...
日期：2026-03-17
MOSFET在电池保护电路中的作用
锂电池凭借高能量密度、长循环寿命等优势，已成为移动电子、新能源汽车、储能系统等领域的核心储能单元。然...
日期：2026-03-16
高频开关导致MOSFET损坏的原因
MOSFET凭借高频开关特性、低导通损耗、小体积等优势，成为高频电源、电机驱动、逆变器等设备的核心功率器件...
日期：2026-03-11
MOSFET在电机驱动中的应用解析
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）凭借高频开关特性、低驱动损耗、小体积等优势，已成为中小功率电...
日期：2026-03-10
PCB布局对MOSFET散热的影响
MOSFET作为电源、电机驱动、工业控制等系统中的核心功率器件，其工作可靠性与寿命直接由结温控制，而PCB布...
日期：2026-03-09
IGBT与MOSFET的应用差异分析
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）与MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）作为电力电子领域两大核心功率器件...
日期：2026-03-06
MOSFET结温Tj对寿命的影响
结温（Tj，JunctionTemperature）是MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的核心可靠性指标，直接决定...
日期：2026-03-05
MOSFET漏源击穿电压Vds解析
MOSFET作为开关与放大电路的核心器件，漏源击穿电压Vds是决定其耐压能力、适用电压范围与可靠性的关键参数...
日期：2026-03-04
晶体管与MOSFET的区别详解
晶体管（通常特指双极结型晶体管BJT）与MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是电子电路中最核心的两...
日期：2026-03-03
栅极电荷Qg对MOSFET开关速度的影响
MOSFET的开关速度是电源设计、电机驱动、高频逆变等场景的核心性能指标，直接决定电路的开关损耗、工作频率...
日期：2026-03-02
MOSFET封装选型常见问题汇总
MOSFET的封装不仅决定器件的物理尺寸、安装方式，更直接影响散热性能、电气特性、装配效率及成本控制，是电...
日期：2026-02-28
MOSFET击穿失效分析
MOSFET作为电力电子系统的核心开关器件，在电源转换、电机驱动、工业控制等场景中应用广泛，其击穿失效是最...
日期：2026-02-26
如何通过封装降低MOSFET结温？
MOSFET的结温（Tj）是决定其寿命与可靠性的核心指标，当结温超过额定最大值（常规为150℃）时，会导致器件...
日期：2026-02-24
MOSFET过热失效原因分析
MOSFET作为电力电子系统的核心开关器件，广泛应用于电源转换、电机驱动、工业控制等场景，其工作可靠性直接...
日期：2026-02-06
MOSFET散热设计基础与计算方法
MOSFET作为电力电子系统的核心开关器件，工作时会因导通损耗、开关损耗产生热量，若热量无法及时散发，会导...
日期：2026-02-05
贴片MOSFET与插件MOSFET的区别
MOSFET作为电力电子领域核心的开关器件，按封装形式可分为贴片MOSFET（SMDMOSFET）与插件MOSFET（Through-H...
日期：2026-02-04
MOSFET阈值电压Vth如何理解？
阈值电压Vth（ThresholdVoltage）是MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）最核心的电气参数之一，直接...
日期：2026-01-30
工程师常犯的MOSFET选型错误总结
MOSFET作为功率电子电路的核心器件，选型直接决定系统效率、可靠性与成本控制。但在实际设计中，工程师常因...
日期：2026-01-28
