MOS/CMOS集成电路N沟道MOS管和P沟道MOS管

MOS/CMOS集成电路 MOS集成电路特点： 制造工艺比较简单、成品率较高、功耗低、...

日期：2022-04-22

CMOS集成电路使用注意事项

1.使用TTL电路时应注意的事项 ①TTL集成电路不像CMOS集成电路那样有较宽的电源电压范围，它的电压范围很...

日期：2021-09-16

CMOS集成电路设计中如何在物理层上实现电阻的设计

在集成电路的设计中，电阻器不是主要的器件，却是必不可少的。如果设计不当，会对整个...

日期：2020-07-27

基于CMOS集成电路的单电源接口电路设计

由于TTL的低电平输入电流1.6mA，而CMOS的低电平输出电流只有1.5mA，因而一般都得加一...

日期：2019-08-08

CMOS集成电路中ESD保护技术分析

为适应VLSI集成密度和工作速度的不断提高，新颖的集成电路NSD保护电路构思不断出现。...

日期：2014-09-11

怎样正确使用MOS集成电路

所有MOS集成电路（包括P沟道MOS，N沟道MOS，互补MOS—CMOS集成电路）都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般...

日期：2009-11-18

CMOS集成电路瞬态电流片外电流传感器电路

随着芯片特征尺寸的缩小和电路复杂程度的增加，有阻开路和有阻桥接缺陷的数目也在增加。同时，随着器件密度...

日期：2009-11-14

CMOS集成电路工艺体硅CMOS工艺设计中阱工艺的选择

(1)p阱工艺实现CMOS电路的工艺技术有多种。CMOS是在PMOS工艺技术基础上于1963年发展起来的，因此采用在n型...

日期：2007-04-29

Design of VLSI CMOS集成电路的物理结构

价电子在获得一定能量(温度价电子在获得一定能量(温度升高或受光照)后,即可脱原升高或受光照)后,即可挣脱原...

日期：2007-04-29