飞利浦 推出符合HDMI 1.3的ESD保护芯片
皇家飞利浦电子公司今天宣布,推出业界第一款支持最近发布的HDMI™1.3规范的ESD保护芯片。高清晰多媒...
日期:2007-04-29
ST DVI和HDMI接口ESD保护突破1pF障碍
意法半导体(STMicroelectronics)推出一款新的保护IC,该芯片第一次允许DVI(高速视频接口)、HDMI(高清...
日期:2007-04-29
Fairchild具ESD保护的USB2.0开关
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布推出全新的高速(480Mbps)USB2.0开关FSUSB31,具有业界最高的ES...
日期:2007-04-29
RAYCHEM高速数据传输用低电容ESD保护器件
泰科电子Raychem电路保护部推出静电放电(ESD)保护器件,进一步扩展了其电路保护产品阵营。设计用于USB2.0...
日期:2007-04-29
ONSEMI 双串联 ESD保护二极管
安森美半导体(ONSemiconductor)推出μESD(微型ESD)双串联高性能微型封装静电放电(ESD)保护二极管。μ...
日期:2007-04-29
ESD 101:保护元件、保护利润
从地毯上走过,抓住门的把手,火花产生了。这个现象就是人们所知的静电放电(ESD,electrostaticdischarge)。...
日期:2007-04-29
微型引线框架封装的ESD二极管阵列
意法半导体推出一系列采用外廓极小的微型引线框架封装的ESD二极管阵列,该设计是为了保护易受静电攻击的设...
日期:2007-04-29
应用于EMI及ESD的新型片式元器件
进入21世纪,以数字式语音通信为代表的现代移动通信技术和以计算机与网络为的现代信息技术分别达到前所未有...
日期:2007-04-29
ESD分析Part(1)
ESD分析Part(1)--静电的产生[前言]ESD的文档是又长又难懂,所以只能分批解决之。这是部分,也是本网站ESD分...
日期:2007-04-29
Intersil具ESD保护双协议收发器
Intersil公司宣布推出新的单端口和双端口双协议收发器系列产品,该产品采用微小的,节省空间的QFN封装,具...
日期:2007-04-28
基于移动通讯终端的ESD问题研究
摘要:介绍了手机的工作原理及存在的静电问题;从实现出发,重点阐述了手机的结构设计、PCB设计、电路设计...
日期:2007-04-28
如何进行高速电路的ESD保护
静电放电(ESD)会给电子器件环境会带来破坏性的后果。事实上,在各种各样电路的电路封装和经过装配、正在使...
日期:2007-04-19
如何对高速数据接口进行可靠的ESD保护
由于电子应用要求的不断发展,现代的集成电路需要更高的工作频率和更小的封装。因此,现在的电子系统要承受...
日期:2007-04-19
UESD6.0DT5G的技术参数
产品型号:UESD6.0DT5G最大雪崩电压VBR(V):7(Min)反向工作电压VRWM(V):6反向漏电流IR(nA):100箝位电压VC(V):...
日期:2007-04-18
UESD5.0ST5G的技术参数
产品型号:UESD5.0ST5G最大雪崩电压VBR(V):6.200反向工作电压VRWM(V):5反向漏电流IR(nA):1箝位电压VC(V):-...
日期:2007-04-18
UESD5.0DT5G的技术参数
产品型号:UESD5.0DT5G最大雪崩电压VBR(V):6.200反向工作电压VRWM(V):5反向漏电流IR(nA):0.100箝位电压VC(V)...
日期:2007-04-18
UESD3.3ST5G的技术参数
产品型号:UESD3.3ST5G最大雪崩电压VBR(V):5反向工作电压VRWM(V):3.300反向漏电流IR(nA):1箝位电压VC(V):-...
日期:2007-04-18
UESD3.3DT5G的技术参数
产品型号:UESD3.3DT5G最大雪崩电压VBR(V):5反向工作电压VRWM(V):3.300反向漏电流IR(nA):1箝位电压VC(V):-...
日期:2007-04-18
UESD12ST5G的技术参数
产品型号:UESD12ST5G最大雪崩电压VBR(V):13.500反向工作电压VRWM(V):12反向漏电流IR(nA):1箝位电压VC(V):23...
日期:2007-04-18
ESD9X5.0ST5G的技术参数
产品型号:ESD9X5.0ST5G雪崩电压VBRMin.(V):6.200雪崩电压VBRNom.(V):-雪崩电压VBRMax.(V):-IT(mA):1峰值反...
日期:2007-04-18
ESD9X3.3ST5G的技术参数
产品型号:ESD9X3.3ST5G雪崩电压VBRMin.(V):5雪崩电压VBRNom.(V):-雪崩电压VBRMax.(V):-IT(mA):1峰值反向...
日期:2007-04-18
ESD9X12ST5G的技术参数
产品型号:ESD9X12ST5G雪崩电压VBRMin.(V):13.500雪崩电压VBRNom.(V):-雪崩电压VBRMax.(V):-IT(mA):1峰值...
日期:2007-04-18
ESD5Z7.0T1G的技术参数
产品型号:ESD5Z7.0T1G雪崩电压VBRMin.(V):7.500雪崩电压VBRNom.(V):-雪崩电压VBRMax.(V):-IT(mA):1峰值反...
日期:2007-04-18
ESD5Z6.0T1G的技术参数
产品型号:ESD5Z6.0T1G雪崩电压VBRMin.(V):6.800雪崩电压VBRNom.(V):-雪崩电压VBRMax.(V):-IT(mA):1峰值反...
日期:2007-04-18
ESD5Z5.0T1G的技术参数
产品型号:ESD5Z5.0T1G雪崩电压VBRMin.(V):6.200雪崩电压VBRNom.(V):-雪崩电压VBRMax.(V):-IT(mA):1峰值反...
日期:2007-04-18
ESD5Z3.3T1G的技术参数
产品型号:ESD5Z3.3T1G雪崩电压VBRMin.(V):5雪崩电压VBRNom.(V):-雪崩电压VBRMax.(V):-IT(mA):1峰值反向工...
日期:2007-04-18
ESD5Z2.5T1G的技术参数
产品型号:ESD5Z2.5T1G雪崩电压VBRMin.(V):4雪崩电压VBRNom.(V):-雪崩电压VBRMax.(V):-IT(mA):1峰值反向工...
日期:2007-04-18
ESD5Z12T1G的技术参数
产品型号:ESD5Z12T1G雪崩电压VBRMin.(V):14.100雪崩电压VBRNom.(V):-雪崩电压VBRMax.(V):-IT(mA):1峰值反...
日期:2007-04-18
MAX2140内部ESD二极管的保护电路设计
在对MAX2140 SDARS接收器进行热插拔操作(接通电源或断开电源)时,可能使其内部静电放电(ESD)保护二极管失效...
日期:2007-04-17
设计PCB时抗ESD的方法
来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如穿透元器件内部薄的绝缘层...
日期:2007-04-16