【图】双脉冲测试650V 120A 测试测量电路电路图维库电子市场网

双脉冲测试650V 120A

出处：网络整理时间：2026-05-22

　　在电力电子领域，对于功率半导体器件的性能评估至关重要。双脉冲测试作为一种关键的实验方法，在评估功率半导体器件（如 IGBT、MOSFET、SiC/ GaN 器件）的动态特性方面发挥着重要作用。
　　双脉冲测试的基本概念
　　双脉冲，从名称上理解，就是产生两个脉冲信号。双脉冲测试则是指在 MOG 管或者 IGBT 的栅极施加两个脉冲信号，以此来测试 MOS 管或者 IGBT 在开启和关断过程中的动态参数。它是一种用于评估功率半导体器件动态特性的实验方法，其在于通过施加两个窄脉冲电压，模拟器件在开关过程中的瞬态行为。
　　在双脉冲测试中，有几个关键的概念需要明确。动作管是接受 PWM 信号并进行开、关动作的管子（如图中的下管 Q2）；续流管则是在 Toff 期间提供电感续流回路，始终保持关闭的管子，也可以是一个二极管（如图中的上管 Q1）。此外，还有 Ton1（个脉冲开启时长）、Toff1（个脉冲关断时长）、Ton2（第二个脉冲开启时长）以及负载电感（模拟负载用的电感，提供需要测量的电流，如图中的 L）等参数。
　　双脉冲测试的基本操作是向被测器件（DUT）的栅极施加两个连续且间隔极短的电压脉冲（通常为纳秒至微秒级）。个脉冲（较长）用于将器件导通至稳态，第二个脉冲（较短）触发关断或再开关过程。然后通过示波器捕获器件在开关过程中的电压、电流波形。
　　其目标主要包括以下几个方面：
　　开关损耗分析：测量开通损耗（Eon）和关断损耗（Eoff）。
　　动态参数提取：如开关时间、反向恢复电荷（二极管）、米勒平台电压（MOSFET/IGBT）、栅极电荷、Ic、Vge、Vce、Ron、Roff、Tj 等。
　　应力测试：评估器件在高压 / 大电流下的可靠性。例如，在管子关断的瞬间会有个 Vce 尖峰，每个公司都有自己的应力标准，如果器件是 800V 的，一般都会要求关断时候的 Vce 尖峰不超过 1000V，但具体标准因公司而异。
　　

　　为什么要进行双脉冲测试
　　从客户端的角度来看，双脉冲测试具有多方面的重要意义。
　　摸底电源恶劣工况表现：由于双脉冲传递的能量有限，其测试过程中造成的破坏性也相对较低。因此，客户可以在设计初期利用双脉冲测试来相对安全地模拟恶劣工况（极限电压、电流）下的电源模块表现，从而降低后续项目中出现异常的风险。
　　提升硬件调试效率：客户在打板后，通常会先通过双脉冲测试来调试开关管及其周边电路。通过该测试，可以在系统正式运行前验证并优化 MOS 的栅极驱动、GS 吸收电路以及 DS 缓冲电路，从而地在硬件调试阶段避免因驱动电路不匹配而导致的炸管。
　　获取实际电路中器件开关损耗：通过双脉冲测试，客户可以在实际应用电路中测量不同工况下器件的开关损耗，为后续评估器件温升提供关键数据。
　　并管电流均衡表现：对于并联管子的应用，可以使用双脉冲测试查看并管的电流均衡情况。
　　双脉冲测试电路以及周边参数配置
　　双脉冲测试通常采用半桥电路形式，主要包含以下关键部分：
　　被测器件：通常为下管（IGBT 或者 MOS），用于测试其开关特性。
　　续流二极管（或同步管）：上管通常用二极管或者另一器件提供续流电路。
　　负载电感：用于维持恒定电流，确保在开关过程中电流变化可控（ IL =VDD*Ton/L）。
　　脉冲发生器：在栅极（Vgs 或 Vce）生成双脉冲信号控制被测器件开关。个长脉冲较宽（如 10us），使被测器件完全导通，电流 IL 直线上升，一般是按照器件电流的两倍或者 1.5 倍来测试；第二个短脉冲较短（如 2us），触发关断或者再开关，用于测量动态参数。
　　直流母线电容：提供低阻抗电源，抑制电压振荡。

　　如何进行双脉冲测试

　　初始化：设置直流母线电压 VDC，调整负载电感 L 以控制测试电流 IL。
　　个脉冲（建立电流）：施加长脉冲（如 10μs），DUT 导通，电流 IL 线性上升至目标值。
　　第二个脉冲（测量动态参数）：施加短脉冲（如 2μs），DUT 关断，测量开通损耗（Eon），包括电流上升时间 tr、电压下降时间 tf；关断损耗（Eoff），包括电压上升时间 tr、电流拖尾（IGBT）；反向恢复（二极管），即续流二极管的反向恢复电流 Irr。
　　数据分析：计算开关能量：Eswitch=∫V (t)*I (t) dt，提取 dV/dt、di/dt、栅极电荷 Qg 等参数。

　　此外，在实际的测试中，还需要考虑一些相关的参数设置。例如，测试中母线电压为 550V，额定电压 400V，过流点 145A，开关频率 18kHz，驱动采用正负压 + 15V -6V，驱动电阻横管 40，竖管 50，采用 heric 拓扑。同时，增大吸收电容能够显著降低过冲和振荡，但是会导致充放电额外损耗；增大栅极电阻会增加损耗，但是可以减小电压过冲。这些因素在双脉冲测试以及实际的电路设计中都需要综合考虑，以确保功率半导体器件的可靠运行和性能优化。

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