双电源自动切换电路起着至关重要的作用，它能够确保设备在不同电源之间实现无缝切换，保证设备的稳定运行。传统的双电源自动切换电路可能存在一些局限性，而基于 MOS 管的设计则为解决这些问题提供了新的思路。本文将详细介绍两种基于 MOS 管的双电源自动切换电路设计方案，并对其工作原理进行深入分析。
　　方案一：利用单个 PMOS 管的双电源切换电路　　我们主要围绕下面这个电路图展开分析。在该电路中，VUSB 为外部 USB 供电，VBAT 为锂电池供电，Q1 为 PMOS 管，D1 为二极管。

　　该电路的工作设计目标是：当外部电源供电时，锂电池的供电关断；当外部供电断开时，由锂电池供电。　　当 VUSB 进行供电（电压为 5V）时，PMOS 管的 G 端电压为 5V。根据 PMOS 管的导通特性，此时 PMOS 管不导通，电压经过二极管 D1 直接到达 VCC。

　　当 VUSB 断开后，PMOS 管 G 端的电压（原本为 5V）由电阻 R1 下拉到 GND。此时，PMOS 管的 S 端电压比 G 端高，满足导通条件，PMOS 管导通，VCC 由 VBAT（锂电池）供电。

　　需要说明的是，在 MOS 管还未导通之前，S 端的电压比 G 端的要高，因此 MOS 管会导通。导通以后，MOS 管的寄生二极管会短路，不再起作用。
　　方案二：0 压降实现主副电源自动切换电路　　前面的电路中加入了 D1 二极管，由于二极管存在压降（约为 0.3V），很难实现 0 压降。而下面这个电路利用了 MOS 管的低导通 RDS（on）特性，提高了电路的效率。

　　该电路利用了 3 个 MOS 管进行设计。　　当 VIN1（主电源）为 3.3V 时，Q1 的 NMOS 导通，接着拉低了 Q3 PMOS 的栅极，Q3 开始导通。此时 Q2 MOS 的 G - S 之间的电压等于 Q3 PMOS 的导通压降，大概为几十 mV，因此 Q2 MOS 管关闭，VIN2（外部电源）断开，VOUT 由 VIN1 进行供电，此时 VOUT = 3.3V。

　　此时电路的静态功耗 I1 + I2 = 20uA。
　　当 VIN1（主电源）断开，Q1 NMOS 截止，Q2 PMOS 的栅极通过 R1 下拉，Q2 导通；Q3 PMOS 的栅极通过 R2 上拉，Q3 截止。此时 Q1 和 Q3 截止，VOUT 由 VIN2 供电，为 3.3V，并且当电路由 VIN2（外部电源）供电时，静态功耗 “消失了”，直接为 0。整个电路几乎不存在压降，除非电流很大。由此可以得出，在这个电路中，外部电源供电是更好的选择。
　　不过，需要注意的是，该电路中的三个 MOS 管都应该具备低导通电阻与低压的特性。此外，有网友反应，这个电路在主电源下降过程中，可能会存在一些问题：Q3 未完全关断而 Q2 就开始导通，外电源通过 Q2、Q3 形成通路，阻止了主电源的降低。