在电子电路设计领域，DC - DC 电路设计是一个重要的分支。在 DC - DC 电路设计中，相信很多工程师和电子爱好者都见过芯片手册推荐电路图中的 “自举电容”，如下所示：

　　如上图所示，自举电容就是接在 BOOT 和 SW 管脚之间的一个电容。一般情况下，常用 0.1uF 即可满足要求。那么加这个电容的作用是什么呢？我们先来了解一下基本概念：自举电容其的作用就是通过电容充放电过程，把低侧电压与电源叠加形成更高的驱动电压，主要用于控制高侧功率器件（比如 MOS 管）的栅极，使之顺利导通。对于一些初学者来说，上面这段话可能过于抽象，我们不妨换个角度，从 DC - DC 的基本拓扑来展开探讨，这样可能更容易理解。　　（1）使用 PMOS 搭建的电源拓扑，如下图所示：

　　从上图可以知道，要使 MOS 管导通，只需要满足输入的 PWM 为低电平（0V）即可（Vgs < 0）。那如果把上图中的 PMOS 更换成 NMOS 呢？情况会有所不同，如下图所示：

　　要想上图中的 NMOS 管导通就需要满足 Vgs > 0，那么怎样才能让 PWM 的电压高于 S 极呢？这时候，加上自举电容就能解决这个问题。此时，可能有小伙伴会问，这么麻烦，直接用 PMOS 不就行了！确实，直接用 PMOS 是可行的，市面上也有不用自举电容的 DC - DC 芯片，比如 TLV62569PDDCR，如下图所示：

　　但从 MOS 管的生产工艺上看，PMOS 的导通电流难以做到很大，在相同成本下，NMOS 电流可以做到很大（Rdson 相对较低）。我们以 TPS54202DDCR 内部框架图来举例，如下图所示：

　　从上图中我们可以看出有两个 NMOS 管，一个在上面，一个在下面，分别称为高侧 MOS 管和低侧 MOS 管。假如某一时刻低侧 MOS 管导通了，那自举电容会如上图中的红色路径所示进行充电，直到充到和 Boot Charge 一样的电压。而此时 DC - DC 芯片是处于续流的状态，续流路径如上图黄色箭头所示。输出主要靠电感和电容维持。当低侧 MOS 管被关闭时，要想让高侧 MOS 管导通，就必须满足 Vgs > 0，而高侧 MOS 的 S 极是接在 SW（输出端），G 极是接在内部的高侧驱动器，而自举电容直接并在 BOOT 和 SW 之间。在低侧 MOS 管关闭，高侧 MOS 管需要导通时，此时自举电容就会向高侧 MOS 提供导通能量，使之满足导通条件 Vgs > 0，这样，就可满足下一个循环了。高侧 MOS 管关闭时，下侧 MOS 管导通，继续为自举电容进行充电，然后下管 MOS 关闭，自举电容放电，高侧 MOS 导通。　　其实，自举电容的应用并不局限于 DC - DC 电路中，在驱动电机的 H 桥驱动电路中也同样采用这种方式，其原理都是一样的。

　　综上所述，自举电容在 DC - DC 电路以及其他相关电路中有着重要的作用，它能够巧妙地解决高侧功率器件的导通问题，并且在不同的电路拓扑中发挥着独特的功效。在实际的电路设计中，合理运用自举电容可以提高电路的性能和稳定性。