在采用高侧功率开关的系统中，开关插入正电源导轨和负载之间。由于通常比P通道类型的N通道MOSFET可以携带更多的电流，因此优于高载荷的高侧切换。

　　但是，使用N通道MOSFET进行高侧开关显然需要高于连接到源的负载电压高的栅极控制电压。因此，需要某种额外的电路（如下一个会话中讨论）以将门拉到源电压上方。

　　在这种情况下，Bootstrap电容器（飞行电容器）C1通过以棘手的方式升高栅极电压来为高侧N通道MOSFET栅极驱动提供足够的能量（值并不重要，因此实验以获取结果）。

　　请注意，逻辑高的输入信号驱动电源电压上方的门输出，而逻辑低信号则迫使栅极输出在地面附近。