共模瞬态抗扰度
　　工业应用中的快速功率开关可以提供高于 50 V/ns 的压摆率。这是减少动态损耗并实现更高系统效率的理想功能。不过，快速瞬变可能会在相关栅极驱动器中产生干扰。在高压侧驱动器中，次级侧的快速瞬态可能会在初级接地中产生振荡。在坏的情况下，这可能会导致输入信号出现故障，从而导致 SiC MOSFET 意外导通。
　　图 1 显示了 STGAP2S 器件在直流电压 Vdc=1500 V 的非常快的瞬态（正瞬态和负瞬态）期间的实验结果。波形表明，即使压摆率约为 120 至 130 V/ns，栅极驱动器能够正确操作并保持所需的输出状态。
　　通过米勒电容耦合
　　漏极至源极电压中的高转换速率瞬态也会通过米勒电容 (MC)（即 MOSFET 漏极和栅极之间的寄生电容）引起栅极振荡。为了限度地减少这种影响，STGAP2S 的变体之一 STGAP25CM 提供了有源米勒钳位 (AMC)，请参见图 2。
　　零件编号# 频道包裹隔离欠压闭锁输出配置
　　STGAP2SM单身的SO-8N1.7kV9.1V分开开/关
　　STGAP2单片机单身的SO-8N1.7kV9.1V米勒钳
　　STGAP2D双重的SO-16N1.7kV9.1V单路输出
　　STGAP2HSM单身的SO-8W6kV9.1V分开开/关
　　STGAP2HSCM单身的SO-8W6kV9.1V米勒钳
　　STGAP2碳化硅单身的SO-8W6kV15.5V分开开/关
　　STGAP2SiCSC单身的SO-8W6kV15.5V米勒钳
　　表 1：STGAP2 技术的产品组合
　　 称为开启阈值的典型值，如数据表中所述。
　　图 1：在 STGAP2S 中测得的正瞬态和负瞬态，VDC=1500V。
　　在需要快速硬开关瞬态的应用中，推荐使用 AMC 功能与 SiC MOSFET 一起使用。图 3 描绘了使用 SCTW35N120G2V（STMicroElectronics 的 650V 额定电压 SiC MOSFET）的半桥逆变器的理想化波形 [6]。由于假设输出电流为正，因此低侧开关 (S2) 在续流时间内开启。 S2 关断后经过短暂的死区时间后，高侧开关 S1 导通。当这种情况发生时，S1 的 VDS 变为零，导致 S2 的 VDS 增加。两种瞬变具有相同的转换速率。处于截止电压的S2的栅极电压VGS现在通过米勒电容的耦合而被上拉。同理，当S1关断时，VGS被拉低。对称地，当输出电流为负时，S1 中预计会出现相同类型的振荡。
　　　图 2：STGAP2S 的可用选项。
　

　　图 3：采用 SIC MOSFET 的半桥逆变器以及 VDS 和 VGS 的理想波形。

　　图 4：半桥逆变器中的 VGS 波形，使用 STGAP2S 的两种变体。

　　表 2：采用 SO-8W 封装的 STGAP2H 器件的电压特性。
　　关闭状态期间 VGS 的正向和负向振荡都会对器件和系统产生负面影响。正振荡可能会导致 MOSFET 寄生导通，进而导致整个半桥发生击穿。另一方面，负振荡可能会使 VGS 超出安全操作区域 (SOA)，并触发设备中的退化机制。
　　从图 4 中的波形可以看出，ACM 能够在关闭状态期间将 VGS 的正负尖峰降低至安全值。如图所示，当由 STGAP2SM 驱动时，SiC MOSFET 的 VGS 可以实现正值，但会带来寄生导通的风险。对于 STGAP2SCM，相同的配置呈现出低得多的尖峰，永远不会达到正值。
　　同理，图4右侧的负向振荡也减少了。 STGAP2SM 的配置呈现低于栅极电压的负峰值，对于 SCTW35N65G2V，该电压为 VGS,min=-10V。使用 STGAP2SCM，负尖峰永远不会达到 VGS,min。
　　隔离电压
　　SO-8W 封装内的栅极驱动器（请参阅表 1）具有 6 kV 的隔离度。根据 UL1577，该电压与生产过程中的测试电压相关。表 2 显示了采用 SO-8W 封装的 STGAP2H 系列电压特性的更多详细信息。
　　欠压锁定 (UVLO)
　　欠压锁定 (UVLO) 是一种保护功能，存在于所有 STGAP2 器件中。它可以防止电源开关被低于其要求的电压驱动。当次级侧的电源电压（即 VH 和 GNDISO 引脚之间的电压）降至某个值以下时，UVLO 保护被激活。
　　IGBT 和超级结 MOSFET 的工作栅极电压在 +12 V 至 +15 V 之间。低于此范围，MOSFET 的导通电阻（或 IGBT 的饱和电压）开始增加，随之而来的是开关。该开关还可能开始以线性模式运行，导致热失控和设备故障。同样的情况也可能发生在 SiC MOSFET 中。然而，由于栅极上需要更高的电压（从 +18V 到 +20V），UVLO 激活的值需要相应增加。
　　图 5 显示了 STW90N65G2V [5] 的输出特性。图中的 VI 曲线是在室温下针对不同栅源电压 VGS 值获得的。图表下方的值是在漏极电流为 40 A 时计算出的电流传导功耗。当 VGS = 18 V（该器件的标称值）时，产生的功耗约为 28 W。
　　　图 5 – SCTW90N65G2V SiC MOSFET 的输出特性，以及计算的不同栅源电压下的传导损耗。
　　如果栅极驱动器的电源电压下降，也会影响 VGS。在图表中，我们有 VGS = 12 V 的示例，这已经使传导损耗几乎增加了一倍。进一步降低将导致 MOSFET 以线性模式运行。极高的相关损耗可能导致 MOSFET 因过热而失效。
　　为了避免这种情况，STGAP2SiCS [5] 器件的 UVLO 已增加至 15.5 V。即使对 MOSFET 应用双极驱动，这也能保证适当的保护。例如，如果向 MOSFET 施加 -3V 的负关断电压，这将使有效激活电压降至 +12.5V，对于 SiC MOSFET 来说仍然足够安全。