反激式拓扑
在低功率水平下，反激式拓扑可能是离线设计的选择。它是的隔离拓扑之一，因为它使用的组件数量非常少。过去，通常使用光耦合器来调节次级侧输出，但现代准谐振 (QR) 反激控制器提供初级侧调节，使设计人员能够完全绕过光耦合器。
初级侧调节通过偏置绕组使用磁反馈来闭合反馈环路。这使其成为成本效益的隔离式离线拓扑之一，因为连接到偏置绕组的简单电阻分压器足以调节输出电压。本文重点关注如何实现初级侧调节 QR 反激式的低待机功耗。
原边调节反激式
图 1：初级侧调节反激式
图 1 显示了 Texas Instruments 的 PS QR 反激式控制器 (UCC28710) 的原理图。准谐振操作利用由电路寄生效应和初级电感引起的谐振振铃来降低开关损耗（参见图 2：开关节点电压）。
变压器磁芯完全消磁后（次级侧电流已斜坡下降至零），将出现由初级电感和存储在寄生开关节点电容中的能量引起的谐振振铃。控制器检测谐振振铃的波谷并开启MOSFET。开关频率发生变化，以使开关事件发生在波谷。谷底处的较低开关节点电压降低了开关损耗。
图 2：开关节点电压（初级 MOSFET 的漏极至源极电压）
待机电源的组成
总待机功耗由两个主要部分组成。
能量，每个开关周期从输入中获取。
启动电路丢失。
输入桥式整流器和大容量电容器的漏电损耗对总损耗也有一定影响，但它们非常小（即使输入电压为 230VAC，通常也低于 1mW），并且仅在实现零待机功耗时才需要考虑。
寄生开关节点电容和缓冲网络也会增加待机功耗的额外损耗。
循环能量
控制器在每个开关周期从输入中获取少的能量，称为周期能量。可能的循环能量的两个限制因素是可控接通时间t on_min和开关频率f sw_min。 t on_min不能受设计者影响。该时间主要由前沿消隐时间决定，并在数据表中给出。相反，f sw_min可以由设计者选择。通常，控制器的可能开关频率或所需的瞬态响应定义为 f sw_min。不幸的是，低待机功耗和快速瞬态响应之间需要权衡。 f sw_min越低，待机功耗越低，但这会对瞬态响应产生负面影响。
为什么会这样呢？初级侧调节器不会持续监控输出电压。控制器在每个开关周期仅对辅助电压采样，以控制输出电压。在其余时间里，控制器是盲目的。检测负载瞬态可能需要一段时间，这意味着瞬态响应在较长的时间段和较低的开关频率下会更差。
启动电路
有一种电阻启动方法，该方法会导致待机功耗大幅增加，因为启动电阻器连接到非常高的体电压 VBLK，从而允许电阻器中耗散功率。对于低待机功耗应用，必须使用主动启动方法，如控制器 UCC28710（参见图 1）。原理很简单，用常开器件（通常是耗尽型 FET）代替启动电阻。一旦输出电压上升，控制器即可关闭启动 FET。这显着降低了启动电路中的损耗。
TVS 缓冲网络
对于低待机功耗应用，使用 TVS 缓冲器而不是 RCD（电阻器、电容器、二极管）缓冲器。虽然 TVS 缓冲器更昂贵，但它实现了更高的效率，因为在 TVS 阴极电压达到 Vin+Vclamp 之前功率不会耗散。
选择正确的二极管也非常重要 - 如果TVS缓冲器用于谷底开关拓扑，则超快二极管非常重要。在一些低功耗应用中，可以放弃缓冲网络。这将进一步降低待机功耗。
寄生开关节点电容
寄生开关节点电容C SN对待机功率也有影响。 C SN是 MOSFET (C oss )、变压器、缓冲二极管、输出二极管和布局的寄生电容之和。主导部分是 MOSFET 输出电容 C oss。每个开关周期能量EIN_PAR ( E IN_PAR = C SN *V BULK 2 ) 存储在C SN中。该能量的一部分在开关和缓冲器中耗散。剩余的能量被传送到辅助和次级输出。降低 CSN 有助于实现非常低的待机功耗。
负载要求
如果循环能量没有被吸收，那么输出电压就会失去调节，并且在输出空载时会增加。通过在输出上施加负载（通常以电阻器的形式）可以防止这种情况。事实上，较大的预负载可以改善瞬态响应，但会增加待机功耗。如果次级侧部件能够承受更高的输出电压，则可以使用非常低的负载，从而降低待机功耗。
