过压保护电路通常可以保护电子设备免受电源瞬变的影响，例如插入电池或外部电源适配器时产生的电压升高。尽管这些器件传统上用作迟滞开关控制器，但您可以重新配置 LM3485（图 1）以提供强大的过压保护电路。

　　迟滞开关控制器图 1迟滞开关控制器可以发挥过压保护电路的双重作用。

　　通过使用公式 V IN =1.252(R 1 +R 2 )/R 2选择反馈电阻，您可以对 IC 进行编程，使其在 4.5 至 35V 之间的任何电平下触发。在图 1 中，当 V IN超过 13.8V时，R 1和 R 2关闭 PFET 。您可以使用公式 V HYS =0.01(R 1 +R 2 )/R 2计算迟滞（图 2）。在此示例中，表达式计算出 110 mV 的滞后。附带的 V OUT与 V IN的示波器图显示了示例电路的迟滞约为 800 mV（2V/格，线路处的 0V 电平，500 纳秒/格）。
　　为什么计算出来的不是 110 mV？我们测量了示例电路的关断传播延迟约为 450 纳秒，几乎是一个完整的时间划分，而开启传播延迟仅为 70 纳秒（均使用 40Ω 负载测量）。考虑到这些传播延迟，示波器图接近计算出的磁滞和 13.8V 跳闸电平。然而，将这些时间与具有较大典型传播延迟（500 至 6000 纳秒关断时间和 1800 至 7000 微秒开启时间）的竞争 IC 进行比较。改进的传播延迟是 LM3485 驱动器的结果，该驱动器可吸收 320 mA 电流并提供 440 mA 电流，而其他过压保护电路仅吸收约 60 mA 电流。
　　LM3485 还具有可调节的过流保护功能。在示例电路中，当电流超过1.1A时，LM3485关闭FET。 9 ?s 后，LM3485 重新打开 FET，并开始通过 FET 的导通电阻再次感测电流。为了实现更的电流检测，请在 FET 和 V IN之间添加一个外部电流检测电阻，然后将 LM3485 的 I SENSE线移至 FET 的源极。图 1 中的示例电路源自标准 LM3485 评估板。您可以轻松修改该板，通过移除一些组件（电感器、二极管和 C FF电容器）来创建过压保护电路，方法是将反馈线从 V OUT移至 V IN，并选择合适的电阻值。