采用压扁三角正弦波振荡器的并添加一些逻辑和门控来产生脉冲，以便在触发时，它会产生单个周期，这些周期从基线上升到峰值，然后再次回落，遵循余弦曲线。图 1中的示意图显示了基本原理。

　　图 1一个简单的振荡器加上一些附加的逻辑，在触发时会产生单脉冲。
　　振荡器的工作原理
　　振荡器的与原版几乎完全相同，但重新绘制后看起来有所不同。其基本形式是带施密特的积分器，其中 C1 通过电阻 R2 和 R3 充电，直到其电压达到由 D3 定义的正阈值，这会翻转 A1b 的极性，因此 C1 开始向 D4 的负阈值放电。D1/D2 提供自举以提供线性充电/放电斜坡，同时补偿 D3/D4 的正向电压随温度（和电源电压，尽管我们不必担心）的变化。A2 输出上产生的三角波通过 R7 馈入 D5/D6，将其压缩为合理的（余弦）正弦波（<0.5% THD）。二极管对的正向电压需要匹配以保持对称性，从而限度地减少偶次谐波失真。 A4 通过 D5/6 放大信号，使得脉冲刚好跨越供电轨，热敏电阻 Th1 对温度变化提供足够的补偿。
　　如果 A2 的输出直接连接到 R1 的输入，电路就会自由振荡（稍后我们会允许它这样做），但现在我们需要它从点开始，完成一个完整的周期，然后停止。
　　在静止状态下，U2a 清晰，A1b 的输出较高，在 D3 上产生正参考电压。（相对于公共半电源内部轨，该电压为正。）该电压由 A2a 反转并通过 U1a 施加到 R1，这样电路周围就会产生负反馈，从而稳定在负参考电压上。（使用 '4053 作为 U1 可能看起来有点浪费，但它的其他部分将在第 2 部分中派上用场。）

　　当 U2a 的 D 输入端收到 (正向) 触发时，其输出端会改变状态。这样，U1a 将 R1 连接到 A1b 的 (仍然为高) 输出端，启动循环；反馈现在为正。经过一个完整循环后，A1b 的输出端再次变为高，触发 U2b 并重置 U2a，从而停止循环并将电路恢复到静止状态。相关波形如图2所示。

　　图2图1中电路的一些波形。

　　将升余弦与理想的正态分布脉冲进行比较很有启发性，图 3显示了两者。虽然大多数曲线都相当匹配，但底部三分之一左右有些不足，尽管可以通过增加一些复杂性来改进.

　　图 3理想正态分布曲线与升余弦的比较，包括图 1 的输出。
　　如前所述，从原理图可以看出，如果通过抑制触发输入并干扰其预设输入低电平以强制其 Q 为高电平和 Q 为低电平来禁用 U2a 的操作，则该电路可用作简单的振荡器。U1a 现在将 A1b 的输出连接到 R1，电路可自由运行。除了作为一项有用的功能外，这还有助于我们进行设置。
　　调整振荡器
　　需要在振荡器模式下进行一些微调才能获得效果。
　　R3 必须设置为在 R2 的和设置下提供相等的三波振幅，否则失真将随频率（或脉冲宽度）而变化。将 R2 设置为值（频率），将 R3 设置为值（在原理图的右侧），然后测量 A1 输出的振幅。现在将 R2 设置为值并调整 R3 以提供与之前相同的振幅。（感谢Steve Woodward提出这个想法。）
　　R7 定义对压缩二极管 D5/6 的驱动，从而定义失真。使用示波器的 FFT：调整 R7 以化第三和第五谐波。（第七谐波保持相当恒定。）如果做不到这一点，请设置 R7，使二极管两端的电压恰好是三波值的 2/3。作为的手段，30k 固定电阻可能足够接近，就像我构建的一样。
　　使用 R9 设置输出电平。波形应从轨到轨运行，只需从峰值处削去残余点的（主要负责第七谐波）。不要过度，否则第三和第五谐波将开始增加。这取决于至少对 A1b 和 A2b 使用 RRO 运算放大器，并小心地分割轨道以实现对称性。
　　一旦调整为振荡器，它就可以用作脉冲发生器，它依赖于完全相同的设置，以便每个脉冲都是余弦波的单个周期，偏移其幅度的一半。

　　图 1 中的原理图给出了电路的基本结构，将在第 2 部分中详细说明。使用的运算放大器是 Microchip MCP6022，它们是双路、5 V、10 MHz CMOS RRIO 器件，输入偏移小于 500 ?V。电源为 5 V，中央“公共”轨道来自另一个用作轨道分离器的运算放大器：如图4所示，与合适的输出缓冲器一起显示。

　　图 4一个简单的轨分离器，用于获得 2.5 V 的“公共”轨，以及具有交流和直流耦合输出的输出电平控制和缓冲器。

　　C1 可以切换以提供多个范围，允许使用从超过 20 kHz（对于 25 ?s 脉冲，在其一半高度处测量）到您想要的值。然后还需要切换 R3；参见图 5了解三范围版本。（范围可能不需要 HF 微调。）虽然三波性能在 1 MHz 左右时良好，但压缩二极管的电容在此之前就开始引入波形失真，至少对于 1N4148 或类似器件而言。

　　图 5对于多量程使用，定时电容器 C1 是可切换的。为了调整每个量程的 HF 响应，R3 也必须变化。
　　改善脉冲形状

　　现在，为了改善脉冲形状，我们增加了额外的复杂性。粗略地说，所需脉冲的上半部分看起来是（余）正弦波，但下半部分则更具指数性，如果我们想要更好的拟合，那部分必须进一步压缩。我们可以通过将 D6 与一对肖特基二极管 D7 和 D8 串联来实现这一点。波形产生的不对称需要抵消，这需要在缓冲级 A2b 中稍微提高增益并进行不同的温度补偿。这些修改如图6所示。

　　图 6使用一对肖特基二极管桥接 D6 可以更好地拟合所需曲线，但增益和偏移需要调整。
　　在此模式下，R16 设置偏移，R9A 设置增益。U3 的三个部分将：
　　将肖特基 D7/8 接入电路
　　根据模式选择增益和偏移确定组件

　　短路 R8，将热敏电阻直接置于 R12 上，优化脉冲下半部分的温度补偿

　　图 7显示了修改后的脉冲形状。不同的二极管或其组合可以很好地改善拟合效果，但这似乎已经足够接近了。
　　图7由图6得到的改进脉冲形状。
　　要进行设置，请调整 R16 和 R9A（它们相互作用；对此表示抱歉），使波形底部为 0 V，而峰值略低于 5 V。由于每个脉冲的上半部分和下半部分依赖于不同的二极管，因此它们的温度系数会略有不同。0-V 基线现在稳定，但峰值高度会随着温度略有增加。