适用于低功率驱动器的 21mm x 36mm“PFC + 逆变器”智能功率模块

出处:维库电子市场网时间:2024-06-20
  介绍了一种针对低功率驱动器优化的 PFC+逆变器 IPM(智能功率模块)。三相逆变器和单个升压 PFC 级集成在一个小型 DIL(双列直插式)传递模塑型封装中,并带有 SOI(绝缘体上硅)栅极驱动器。使用此 IPM,可以大大减小系统的尺寸和成本
  概述 新型 IPM 的内部电路由逆变器级和 PFC 级组成。三相逆变器级具有六个额定电压为 600V 的 TRENCHSTOPTM IGBT 和六个发射极控制二极管,以及一个提供集成自举电路的 SOI 栅极驱动器 IC 和用于温度监控的热敏电阻。PFC 级由一个额定电压为 650V 的TRENCHSTOPTM IGBT和一个具有快速和软开关特性的快速开关发射极控制二极管组成(图 1)。

  内部电路

  图 1:内部电路
  降低成本
  化总成本是系统工程师在开发新型电机驱动器时重要的考虑因素。不仅 IPM 本身、散热器和 PCB 等材料成本,而且开发上市时间也是总成本的主要因素。
  小型化传递模塑封装(封装尺寸和结构)

  图 2 显示了高集成度 IPM 的封装轮廓。该 IPM 采用紧凑尺寸的英飞凌科技 CIPOSTM(控制集成电源系统)迷你封装,尺寸为 21 毫米 x 36 毫米 x 3.1 毫米。新 IPM 已获得 UL (UL 1557 文件 E314539),并符合 RoHS 标准。

  外观
  图 2:外部视图

  采用具有良好导热性的DCB(直接铜键合)基板作为高热性能基板。图 3 显示了新 IPM 的横截面图。所有主要热源(如 IGBT 和二极管)都安装在 DCB 上,以充分利用此封装的传热能力。因此,即使封装尺寸非常紧凑,新 IPM 也可以成为高达 3kW 电机驱动器的解决方案 [1]。

  横截面视图
  图 3:横截面视图
  散热器和 PCB 尺寸
  所有功率半导体元件(即桥式整流器、用于 PFC 的分立 IGBT、分立升压二极管和用于电机驱动的 IPM)通常都安装在一个散热器上,以便散热。图 4 显示了通过将分立功率半导体和驱动器集成到一个封装中,可以减少 PCB 和散热器的尺寸,并简化组装过程 [2]。

  分离式 PFC 和逆变器 IPM 解决方案 全新 IPM 解决方案


  4a:分立式 PFC 和逆变器 IPM 解决方案


  4b:全新 IPM 解决方案
  发展速度加快
  在系统开发过程中,电路设计、图稿和 PCB 组装需要花费大量时间(参考板,图 5 和 6)。为了减少此过程所花费的时间,并快速确定新 IPM 是否可以运行电机,我们开发了一个参考板。运行电机所需的外围设备安装在板上,其他外围设备(如 PWM 信号、+5/+15V 直流电源、PFC 电感器、DC 链路电解电容器)可通过与参考板的电线连接从板外使用。
  额定电压为 650V 的 PFC 级
  英飞凌科技根据其 PFC IGBT 特性开发了两种产品。它们是用于 20kHz 开关频率的 High Speed 3 (HS3) 和用于 40kHz 开关频率的 TRENCHSTOPTM 5 (TS5),如表 1 所列。英飞凌的快速发射极控制二极管经过优化,可与 TRENCHSTOPTM IGBT 一起用作 PFC 拓扑中的升压二极管。它结合了低 VF 以降低传导损耗和低 Irr 以降低 IGBT 的 Eon [3]。所有功率器件的额定电压均为 650V,并且它针对不稳定的交流电网提供了更高的可靠性和耐用性 [4]。


 
  图 5b:参考板结构背面

  参考板应用示例

  图6:参考板应用示例

  逆变级特点
  逆变器级具有多种功能,可确保逆变器的安全运行。这些功能可通过坚固的 SOI 栅极驱动器和热敏电阻来实现。
  VBS=15V 时允许信号传输的负 VS 电位可达 -11V
  集成引导功能
  所有通道均欠压锁定
  预防交叉传导
  保护期间所有 6 个开关均关闭
  过流关断
  温度监控器
  过流保护
  新型 IPM 监控 ITRIP 引脚电压,当电压超过 VIT、TH+(正向阈值电压)时,将激活故障信号,并关闭所有 6 个 IGBT。过流跳闸水平通常设置为额定集电极电流的 2 倍以下 [5]。

  过流保护时序图

  图7:过流保护时序图
  过温保护

  为了实现过温保护,该 IPM 中集成了一个热敏电阻。25°C 时电阻通常为 85kΩ,100°C 时电阻通常为 5.4kΩ(图 8)。

  热敏电阻阻值与温度

  图 8:热敏电阻阻值与温度的关系

  如图 9 所示,VFO 引脚直接连接到微控制器的 ADC 和故障检测端子,因为热敏电阻与具有开漏配置的故障输出端子并联。例如,当上拉电阻 R1 为 3.6kΩ 时,VFO 电压在约 100°C 时为 2.95Vtyp。Vcrt=5V 时,Vcrt=3.3V 时为 1.95V,如图 10 所示。
  热评估
  图 11 是测试电路和测量波形,显示了测试系统在输入功率为 2kW 时评估热性能的运行状态。运行条件为 PFC 控制器 = ICE2PCS05G、输入功率 PIN = 2kW、交流输入电压 VIN = 220V/60Hz、直流母线电压 VDC = 400V、逆变器开关频率 = 5kHz、PFC 开关频率 = 20kHz、RL 负载(R = 13.75Ω、L = 2.96mH、功率因数 = 0.99)、MI = 0.69、栅极电阻 Rg = 5.1Ω、环境温度 Ta = 25°C。被测设备为 IFCM15S60GD。输入功率因数约为 0.995,THD 约为 9.78%。

  过温保护电路

  图9:过温保护电路

  VFO 电压与温度

  图 10:VFO 电压与温度
  新型IPM的测试电路及波形,测试电路

  图 11a:新型 IPM 的测试电路和波形,测试电路

  新型IPM的测试电路及波形

  图11b:新型IPM的测试电路和波形,波形

  PFC IGBT位置的外壳温度点约为67.5°C,高于逆变器部分的外壳温度。IFCM15S60GD足以应对2kW以上的功率。

  新型IPM(IFCM15S60GD)的温度测量点和测试结果,温度测量点
  图 12a:新型 IPM(IFCM15S60GD)的温度测量点和测试结果,温度测量点

  新型IPM(IFCM15S60GD)的温度测量点及测试结果、温度图

  图12b:新型IPM(IFCM15S60GD)的温度测量点和测试结果,温度图
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