基于功率 MOSFET 的电流检测

出处:维库电子市场网时间:2023-12-22
  通过使用 MOSFET RDS(ON) 进行电流检测,可以实现简单且经济高效的电流检测。LTC3878 是采用这种方法的器件。它采用恒定导通时间、谷值模式电流感应架构。这里,顶部开关导通一段固定的时间,之后底部开关导通,其 RDS 压降用于检测电流谷值或电流下限。  虽然价格便宜,但这种方法也有一些缺点。首先,它不是很准确;RDS(ON) 值的范围可能存在很大差异(大约 33% 或更多)。它还可以具有非常大的温度系数;在 100°C 范围内,值大于 80% 并非不可能。另外,如果使用外部MOSFET,则必须考虑MOSFET寄生封装电感。对于非常高的电流水平,尤其是需要良好的相电流共享的多相电路,不建议采用这种类型的感测。

  图 12:RSENSE ESL 会对电流检测产生不利影响。
   图 13:MOSFET RDS(ON) 电流感测。
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