本介绍了一款采用 LinkSwitch-HP IC 系列中的 LNK6777E 的通用输入 19 V、45 W 隔离式反激式转换器。它包含电源的完整规格、详细的电路图、构建电源所需的完整材料清单、电源变压器的大量文档，以及重要电气波形的测试数据和波形图。
    该设计重要的方面是演示如何使用 LinkSwitch-HP 器件实现次级侧光耦合器反馈。
    典型的 LinkSwitch-HP 设计采用初级侧调节，但添加光耦合器反馈使该器件能够满足具有严格瞬态响应（0 至 100%）和空载输入功率（<100 mW）要求的应用。
      图 1 已安装的电路板，顶视图
      图 2 已安装的电路板，底视图
      图3 示意图
    输入整流和滤波
    保险丝 F1 为电路提供过流保护，并在发生故障时将其与交流电源隔离。二极管桥 BR1 对交流输入进行整流。电容器C6与电感器L1和L2一起构成EMI滤波器，用于衰减共模和差模传导噪声。
    电阻器 R11、R12 和 R13 用于在线路电压从电路中移除后对 EMI 滤波电容器进行放电。NTC 热敏电阻 RT1 限制首次施加线电压时电源的浪涌电流。
    金属氧化物压敏电阻 (MOV) RV1 通过有效钳位电源的输入电压，在线路浪涌事件期间保护电路。
    LinkSwitch-HP 主要
    图中的原理图描绘了使用 LNK6777E 实现的基于 LinkSwitch-HP 的 19 V、45 W 反激式转换器。LNK6777E 器件 (U1) 将振荡器、误差放大器和多模式控制电路、启动和保护电路以及高压功率 MOSFET 全部集成在一个单片 IC 中。
    电源变压器的一侧连接到高压总线，另一侧连接到U1的漏极(D)引脚。在开关周期开始时，控制器打开功率 MOSFET，初级绕组中的电流逐渐增加，初级绕组将能量存储在变压器的磁芯中。当该电流达到由内部误差放大器的输出（补偿（CP）引脚电压）设置的限制阈值时，控制器关闭功率 MOSFET。由于变压器绕组的定相和输出二极管的方向，存储的能量随后在次级绕组上感应出电压，该电压使输出二极管正向偏置，并且存储的能量被传递到输出电容器。
    连接到旁路 (BP) 引脚的电容器 C7 (470 nF) 将过压保护 (OVP) 和过温保护 (OTP) 设置为闭锁和失去调节保护，以便在给定的关闭周期 (典型值 1500 毫秒）。
    初级 RCD 钳位
    二极管 D1、C3、R1、R2、R3 和 R5 形成 RCD 缓冲器，用于限制 LinkSwitch-HP 上的电压应力。因此，峰值漏极电压通常限制在 265 VAC 时低于 640 V，为 725 V 漏极电压额定值 (BVDSS) 提供了很大的余量。
    输出整流
    19V 输出的输出整流由二极管 D4 提供，滤波由电容器 C15、C18 提供。由 R19、R20 和 C12 形成的缓冲器提供高频滤波以改善 EMI。
    外部电流限制设置
    逐周期电流限制由连接到 PROGRAM (PD) 引脚的电阻器 R4 设置。设计中的 23.2 kΩ 电阻器将电流限制设置为 LNK6777E 默认电流限制的 60%。
    反馈和补偿网络
    此设计使用次级侧调节而不是初级侧调节来实现低空载功耗 (<100 mW) 和瞬态响应要求 (±5%)。
    基本方法是使用光耦合器直接驱动 LinkSwitch-HP IC 的 CP 引脚。CP电压可以被认为是内部误差电压，因此改变误差电压会直接改变器件处理的功率（初级电流和开关频率）。