N 沟道增强型（常关）功率 MOSFET (eMOSFET) 具有正阈值电压和极高的输入阻抗，使其成为直接连接微控制器、PIC 和数字逻辑电路的理想器件。产生如图所示的正输出。

    MOSFET 开关由栅极输入信号控制，由于 MOSFET 具有极高的输入（栅极）电阻，我们几乎可以无限制地将许多功率 MOSFET 并联在一起，直到达到所连接负载的功率处理能力。
    在 N 沟道增强型 MOSFET 中，器件截止 (Vgs = 0)，沟道闭合，就像常开开关一样。当向栅极施加正偏压时，电流流过沟道。电流量取决于栅极偏置电压Vgs。换句话说，为了使 MOSFET 在饱和区运行，栅源电压必须足以维持所需的漏极，从而维持负载电流。
    如前所述，n 沟道 eMOSFET 由栅极和源极之间施加的电压驱动，因此如图所示，在 MOSFET 栅极到源极结上添加一个齐纳二极管，可以保护晶体管免受过高的正或负输入电压的影响，例如例如，这些是从饱和运算放大器比较器输出生成的。齐纳二极管钳位正栅极电压并充当传统二极管，当栅极电压达到 –0.7V 时开始导通，从而使栅极端子远离其反向击穿电压限制。