该电路器件IC1为TOP221,三端高压开关集成电路，其内部集成有电压型脉宽调制振荡器、基准电压源、误差放大器、高压启动限流电阻以及过热等保护电路。此外在芯片上还集成有耐压700V的N沟道功率场效应晶体管，其工作频率可达100kHz,驱动功耗小，占空比达70%,效率可达90%。所以，该开关电源外围元器件少，可靠性高。IC1的漏极D接高压，源极S接零电位，控制极C与零电位之间接启动电容C3，通常该电容值为47μF。控制极C的输入电流大小将改变脉宽调制的占空比，当输入电流增加时占空比将减小。

　　控制电流来自高频开关变压器T的一个二次绕组3、4,T的铁氧体磁心体积仅19mm×17mm×5mm,VD5抑制反峰尖脉冲。IC1的外围电路的工作过程很简单：当输出电压升高时，IC1的C极输入电流也会增加，输出脉冲占空比将减小，从而使输出电压降低。